[發明專利]一種可控整流電路及其穩壓控制方法

有效

• 申請號: 202210290255.0
• 申請日: 2022-03-23
• 公開（公告）號: CN114785167B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 伍榮翔;周子敬
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H02M7/219
• 分類號: H02M7/219;H02M3/335
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種可控整流電路，其特征在于，包含第一三極管、第一MOS管、第二MOS管、第一電阻、第二電阻、第一電容，

所述第一三極管的發射極、所述第二電阻的第一端與所述可控整流電路輸入電壓的第一端耦合，所述第一三極管的集電極、所述第一電容的第一端與所述可控整流電路輸出電壓的第一端耦合，所述第一三極管的基極與所述第一電阻的第一端耦合，

所述第一MOS管的漏極與所述第一電阻的第二端耦合，所述第一MOS管的柵極與所述第二MOS管的漏極和所述第二電阻的第二端耦合，所述第一MOS管的源極、所述第二MOS管的源極、所述第一電容的第二端與所述可控整流電路輸入電壓的第二端耦合，

所述第二MOS管的柵極用于接入控制信號，所述控制信號可以控制所述第二MOS管的導通或關斷，進而控制以第一三極管為整流器件的整流電路單元的關斷或正常工作。

2.權利要求1所述的可控整流電路，其特征在于，所述可控整流電路輸出電壓的第二端與所述可控整流電路輸入電壓的第二端耦合。

3.權利要求1所述的可控整流電路，其特征在于，所述第一三極管為PNP管，所述第一MOS管和所述第二MOS管為NMOS管。

4.權利要求1所述的可控整流電路，其特征在于，所述第一三極管為NPN管，所述第一MOS管和所述第二MOS管為PMOS管。

5.權利要求1所述的可控整流電路，其特征在于，所述第二電阻的阻值大于所述第二MOS管導通電阻的10倍。

6.權利要求1所述的可控整流電路，其特征在于，還包括第二三極管、第三MOS管、第四MOS管、第三電阻、第四電阻、第二電容，

所述第一三極管為PNP管，

所述第一MOS管和第二MOS管為NMOS管，

所述第二三極管為NPN管，

所述第三MOS管與第四MOS管為PMOS管，

所述第二三極管的發射極、所述第四電阻的第一端與所述可控整流電路輸入電壓的第一端耦合，所述第二三極管的集電極、所述第二電容的第一端與所述可控整流電路輸出電壓的第二端耦合，所述第二三極管的基極與所述第三電阻的第一端耦合，

所述第三MOS管的漏極與所述第三電阻的第二端耦合，所述第三MOS管的柵極與所述第四MOS管的漏極和所述第四電阻的第二端耦合，所述第三MOS管的源極、所述第四MOS管的源極、所述第二電容的第二端與所述可控整流電路輸入電壓的第二端耦合，

所述第四MOS管的柵極用于接入控制信號，所述控制信號可以控制所述第四MOS管的導通或關斷，進而控制作為整流器件的第二三極管的關斷或正常工作。

7.根據權利要求書1所述的可控整流電路，其特征在于，還包括控制信號生成電路，

所述可控整流電路輸出電壓的第二端與所述可控整流電路輸入電壓的第二端耦合，

所述控制信號生成電路根據所述可控整流電路輸出電壓產生接入到所述第二MOS管柵極的控制信號，

當所述輸出電壓超過上限閾值電壓時，所述控制信號生成電路產生使得所述第二MOS管導通的控制信號，

當所述輸出電壓低過下限閾值電壓時，所述控制信號生成電路產生使得所述第二MOS管關斷的控制信號，

當所述輸出電壓界于上限閾值電壓和下限閾值電壓之間時，所述控制信號生成電路產生的控制信號保持不變。

8.根據權利要求7所述的可控整流電路，其特征在于，所述控制信號生成電路包括電壓采樣電路、第一比較器、第二比較器、SR鎖存器；

所述電壓采樣電路對所述可控整流電路的輸出電壓進行采樣，并產生與可控整流電路輸出電壓成比例的采樣電壓，

所述第一比較器的正向輸入端與所述采樣電壓耦合，所述第一比較器的反向輸入端與第一參考電壓耦合，

所述第二比較器的正向輸入端與第二參考電壓耦合，所述第二比較器的反向輸入端與所述采樣電壓耦合，

所述第一參考電壓大于所述第二參考電壓，

所述SR鎖存器的置位端與所述第一比較器的輸出端耦合，所述SR鎖存器的復位端與所述第二比較器的輸出端耦合，

所述SR鎖存器的正相輸出信號或反相輸出信號為所述控制信號生成電路產生的控制信號。