[發明專利]一種晶圓清洗方法及裝置

有效

• 申請號: 202210290100.7
• 申請日: 2022-03-23
• 公開（公告）號: CN114388350B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 宋林杰;劉天建;曹瑞霞;王逸群
• 申請（專利權）人: 湖北三維半導體集成創新中心有限責任公司;湖北江城實驗室
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32;B08B3/02;B08B7/00;B08B13/00
• 代理公司: 武漢華之喻知識產權代理有限公司 42267
• 代理人: 王珣玨;張彩錦

1.一種晶圓清洗方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、將經過激光開槽和等離子切割后的待清洗晶圓置于真空腔室中，向所述真空腔室中通入氮氣或惰性氣體以清理所述晶圓表面的顆粒物；

S2、保持所述真空腔室的真空環境，向其中通入水蒸氣以清洗所述晶圓表面的激光保護膠；

S3、保持所述真空腔室的真空環境，將氧化性氣體電離形成的等離子體通入其中以清洗所述晶圓表面的聚合物；

S4、保持所述真空腔室的真空環境，將還原性氣體電離形成的等離子體通入其中以還原所述晶圓表面的氧化銅。

2.根據權利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于：步驟S1中，所述真空腔室的真空度為50mTorr~150mTorr，通入所述氮氣或惰性氣體的氣體流量為50sccm~100sccm，清洗時間為5min~10min。

3.根據權利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于：步驟S2中，所述真空腔室的真空度為50mTorr~150mTorr，通入所述水蒸氣的氣體流量為50sccm~100sccm，清洗時間為5min~10min。

4.根據權利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于：步驟S3中，所述氧化性氣體為氧氣和氮氣的混合氣體。

5.根據權利要求4所述的晶圓清洗方法，其特征在于：所述氧化性氣體中的氧氣體積分數為10%~30%。

6.根據權利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于：步驟S4中，所述還原性氣體為氫氣和氮氣的混合氣體或者氨氣和氮氣的混合氣體。

7.根據權利要求6所述的晶圓清洗方法，其特征在于：所述還原性氣體為氫氣和氮氣的混合氣體，其中氫氣的體積分數小于5%。

8.根據權利要求1所述的晶圓清洗方法，其特征在于：步驟S3和步驟S4中，所述真空腔室的真空度為100mTorr~200mTorr，通入等離子體的流量為50sccm~150sccm。