[發明專利]單晶爐的水冷熱屏結構、單晶爐及單晶硅的生長方法有效
| 申請號： | 202210287527.1 | 申請日： | 2022-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN114635181B | 公開（公告）日： | 2023-01-31 |
| 發明（設計）人： | 楊政;王新強;秦現東;景華玉;張正 | 申請（專利權）人： | 雙良硅材料(包頭)有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張柳 |
| 地址： | 014062 內蒙古自治*** | 國省代碼： | 內蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶爐 水冷 結構 單晶硅 生長 方法 | ||
1.一種單晶爐的水冷熱屏結構，其特征在于，包括：
單晶爐爐蓋；在所述單晶爐爐蓋上方的喉口處設置有充氣法蘭；所述充氣法蘭設置有氣體進口；
與所述爐蓋滑動配合的環狀水冷熱屏；
設置在所述環狀水冷熱屏內部的盤旋狀氣管；所述盤旋狀氣管的氣體出口位于所述環狀水冷熱屏內部的屏體直壁段；所述盤旋狀氣管與所述環狀水冷熱屏的內壁存在間隙；
氣體進入所述充氣法蘭，經過所述盤旋狀氣管吹向所述單晶爐內的熔體液面。
2.根據權利要求1所述的水冷熱屏結構，其特征在于，所述盤旋狀氣管為管式換熱器。
3.一種單晶爐，包括權利要求1～2任意一項所述的水冷熱屏結構。
4.一種利用單晶爐進行單晶硅生長的方法，包括以下步驟：
A)將晶硅原料置于單晶爐的石英坩堝內，在真空的條件下進行熔化；
所述單晶爐包括權利要求1～2任意一項所述的水冷熱屏結構；
B)進行單晶硅的生長，在所述生長的過程中，通過啟動環狀水冷熱屏的進水進行水冷卻，通過向所述充氣法蘭通入氣體，氣體進入所述充氣法蘭，經過盤旋狀氣管吹向所述單晶爐內的熔體液面，進行氣體冷卻。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟B)中，在單晶硅的生長過程中，晶體進入環狀水冷熱屏的屏體直壁段時，向所述充氣法蘭通入氣體。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟B)中，向所述充氣法蘭通入的氣體為氬氣。
7.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟B)中，向所述充氣法蘭通入氣體的氣體流量控制在5～20slpm。
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