[發(fā)明專利]一種FAPbI3 在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210284744.5 | 申請日: | 2022-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN114678472A | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳永華;王殿曦;杜曉琴;夏英東;黃維 | 申請(專利權(quán))人: | 南京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司: | 南京知識律師事務(wù)所 32207 | 代理人: | 吳頻梅 |
| 地址: | 210000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 fapbi base sub | ||
本發(fā)明涉及一種制備FAPbI3鈣鈦礦薄膜及其高效的鈣鈦礦太陽能電池的方法,屬于光電子材料與器件領(lǐng)域。該發(fā)明中純相FAPbI3薄膜的制備采用一步法將乙酸銨作為添加劑與鈣鈦礦組分溶于N,N?二甲基甲酰胺作為前驅(qū)體溶液旋涂在已經(jīng)有電子傳輸層的FTO導(dǎo)電基板上,經(jīng)過退火制備均勻致密的鈣鈦礦薄膜,整個(gè)過程在無水無氧的手套箱內(nèi)進(jìn)行。隨后在薄膜上進(jìn)行后續(xù)處理以及Spiro?OMeTAD作為空穴傳輸層,再利用真空蒸鍍技術(shù)蒸鍍MoO3修飾層以及金屬電極以完成器件的制備。該方法所制備的純相FAPbI3鈣鈦礦太陽能電池具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)化效率,并且本發(fā)明采用乙酸銨作為添加劑使得可以一步法制備純相甲脒基鈣鈦礦太陽能電池。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種基于乙酸銨作為前驅(qū)體溶液添加劑,通過調(diào)整乙酸銨的質(zhì)量來一步法制備純相FAPbI3鈣鈦礦薄膜及其高效鈣鈦礦太陽能電池的方法,尤其是一種利用添加劑可以一步法制備高效純相甲脒基鈣鈦礦薄膜的方法,屬于光電子材料與技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
隨著社會的不斷發(fā)展,傳統(tǒng)化石能源引起的環(huán)境問題越來越受到人們的關(guān)注,清潔能源的開發(fā)迫在眉睫。伴隨著人類對清潔能源的需求不斷提升,太陽能發(fā)電越來越受到人們的重視。迄今為止,大多數(shù)的太陽能電池都是由硅制成,因?yàn)檫@種材料非常善于吸收光線。然而,硅面板的制造成本卻很昂貴,并且,晶體硅太陽能電池在制備的過程中,需要上千度的高溫?zé)Y(jié)而成,這不僅浪費(fèi)了廣大的財(cái)力與物力,而且不利于可持續(xù)性發(fā)展戰(zhàn)略。
新型太陽能電池包括鈣鈦礦太陽能電池、染料敏化太陽能電池、有機(jī)太陽能電池和量子點(diǎn)太陽能電池等隨之應(yīng)運(yùn)而生,其中,鈣鈦礦太陽電池因兼具成本低、制備簡單、光電轉(zhuǎn)換性能優(yōu)異等特點(diǎn)在國際上倍受關(guān)注。因此,與現(xiàn)有成熟的晶硅太陽能電池技術(shù)相比極具優(yōu)勢,也為鈣鈦礦太陽能電池的商業(yè)化應(yīng)用帶來了樂觀的前景。而在鈣鈦礦材料中FAPbI3鈣鈦礦(其中FA是甲脒)已被證明是制備高效、穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽能電池的理想候選材料。但是,F(xiàn)APbI3會在溫度低于 150℃由有光學(xué)活性的α相發(fā)生相變轉(zhuǎn)化為無光學(xué)活性的δ相,因此獲得高結(jié)晶、穩(wěn)定和純的α相FAPbI3鈣鈦礦薄膜對于實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦太陽能電池的實(shí)際廣泛應(yīng)用是至關(guān)重要的。先前的研究主要是通過摻雜 MA+(甲胺)、Cs+、或者是Br-等離子來獲得純α相FAPbI3鈣鈦礦,但是摻雜這些離子會使鈣鈦礦材料的紫外-可見光吸收峰發(fā)生藍(lán)移,從而導(dǎo)致這一體系的帶隙變寬。雖然提高了器件的開路電壓(VOC),但是降低了短路電流電流密度(JSC),而FAPbI3的帶隙(~1.48V)是已知的鈣鈦礦材料中最為接近理想帶隙(1.3V-1.4V)的體系,更為關(guān)鍵的是這些摻雜策略在一定程度上會影響器件的穩(wěn)定性,所以使用一種能夠得到純α相FAPbI3而并不會改變其帶隙的試劑或者方法是尤為重要。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是針對FAPbI3鈣鈦礦極易在低于150℃時(shí),由具有光學(xué)活性的α相轉(zhuǎn)變?yōu)闊o光學(xué)活性的δ相且難以用一步法制備均勻致密的FAPbI3鈣鈦礦薄膜及其器件。
為了解決上述問題,本發(fā)明提出的技術(shù)方案是:一種通過調(diào)控添加劑醋酸銨(NH4Ac)在前驅(qū)體中的質(zhì)量比來實(shí)現(xiàn)一步法制備高效純相甲脒基鈣鈦礦薄膜及其鈣鈦礦太陽能電池的方法,包括以下步驟:
(1)將碘化鉛,碘化甲脒按摩爾比1.2:1,并將添加劑乙酸銨按與鈣鈦礦前驅(qū)體材料碘化鉛和碘化甲脒的質(zhì)量比X, 15%X25%,溶于N,N-二甲基甲酰胺溶劑中配制成新的FAPbI3鈣鈦礦前驅(qū)液溶液,在50℃以下溫度下加熱攪拌溶解0.5-1小時(shí);
(2)在清洗并且處理過的FTO透明導(dǎo)電玻璃片上旋涂沉積電子傳輸材料;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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