[發(fā)明專利]一種低介電樹脂組合物、銅箔及其制備方法與應(yīng)用

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210284062.4
• 申請(qǐng)日: 2022-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN114702785A
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉飛;許偉鴻;楊柳;何岳山;李東偉;王糧萍;劉漢成;練超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市紐菲斯新材料科技有限公司
• 主分類號(hào): C08L63/02
• 分類號(hào): C08L63/02;C08L63/00;C08L71/12;C08L61/34;C08K3/36
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉芙蓉;李曉鳳

1.一種低介電樹脂組合物，其特征在于，按重量份計(jì)，包括如下組分：

環(huán)氧樹脂30～50份、苯氧樹脂20～30份、無機(jī)填料20～40份、苯并噁嗪10～20份、氰酸酯10～20份、苯并環(huán)丁烯10～20份。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電樹脂組合物，其特征在于，所述苯并噁嗪選自雙酚A型苯并噁嗪、萘酚型苯并噁嗪、二元胺型苯并噁嗪、含氟苯并噁嗪中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低介電樹脂組合物，其特征在于，所述含氟苯并噁嗪選自含氟苯并噁嗪Ⅰ、含氟苯并噁嗪Ⅱ、含氟苯并噁嗪Ⅲ中的一種或多種；

其中，含氟苯并噁嗪Ⅰ的結(jié)構(gòu)式為：

含氟苯并噁嗪Ⅱ的結(jié)構(gòu)式為：

含氟苯并噁嗪Ⅲ的結(jié)構(gòu)式為：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電樹脂組合物，其特征在于，所述氰酸酯選自有機(jī)硅改性氰酸酯，所述有機(jī)硅改性氰酸酯選自環(huán)氧基硅烷改性氰酸酯、氨基硅油改性氰酸酯、多面體低聚倍半硅氧烷改性氰酸酯中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電樹脂組合物，其特征在于，所述苯并環(huán)丁烯選自硅氧烷類苯并環(huán)丁烯、含氟苯并環(huán)丁烯樹脂、多環(huán)改性苯并環(huán)丁烯中的一種或多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低介電樹脂組合物，其特征在于，所述苯并環(huán)丁烯選自苯并環(huán)丁烯Ⅰ、苯并環(huán)丁烯Ⅱ、苯并環(huán)丁烯Ⅲ中的一種或多種；

其中，所述苯并環(huán)丁烯Ⅰ的結(jié)構(gòu)式為：

所述苯并環(huán)丁烯Ⅱ的結(jié)構(gòu)式為：

所述苯并環(huán)丁烯Ⅲ的結(jié)構(gòu)式為：

7.一種低介電涂膠銅箔，其特征在于，包括銅箔基底、設(shè)置在所述銅箔基底上的樹脂層以及設(shè)置在所述樹脂層上的保護(hù)膜，所述樹脂層的原料包括權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的低介電樹脂組合物。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低介電涂膠銅箔，其特征在于，所述銅箔基底選自載體銅箔、壓延銅箔、電解銅箔中的一種；

和/或，所述銅箔基底的厚度為2～35μm；

和/或，所述樹脂層的厚度為10～150μm；

和/或，所述保護(hù)膜的厚度為12～50μm；

和/或，所述保護(hù)膜為PP膜或PET膜。

9.一種如權(quán)利要求7或8所述的低介電涂膠銅箔的制備方法，其特征在于，包括步驟：

將權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的低介電樹脂組合物與有機(jī)溶劑混合均勻，得到樹脂漿料；

將所述樹脂漿料涂覆在銅箔基底表面，干燥后得到表面設(shè)置有樹脂層的銅箔基底；

將保護(hù)膜貼合于所述樹脂層上，得到所述低介電涂膠銅箔。

10.一種如權(quán)利要求7或8所述的低介電涂膠銅箔在集成電路、芯片封裝、PCB電路板中的應(yīng)用。