[發明專利]基于多層電阻型FSS的超寬帶吸波結構及制備方法在審
| 申請號: | 202210283511.3 | 申請日: | 2022-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN114597672A | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發明(設計)人: | 周張榮;唐先忠;畢美;翁小龍;李志明;雷雪;龍雪媛 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學;四川航天系統工程研究所 |
| 主分類號: | H01Q17/00 | 分類號: | H01Q17/00 |
| 代理公司: | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖歡 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 多層 電阻 fss 寬帶 結構 制備 方法 | ||
1.一種基于多層電阻型FSS的超寬帶吸波結構,其特征在于,包括從上到下依次層疊的多個尺寸相同的正方型結構層,各結構層都為中心對稱圖形,依次為:分形方片結構電阻型頻率選擇表面FSS(1)、第一層介質層(2)、方環結構電阻型頻率選擇表面FSS(3)、第二層介質層(4)、彎曲線結構電阻型頻率選擇表面FSS(5)、第三層介質層(6)、金屬背板(7);
分形方片結構電阻型頻率選擇表面FSS(1)包括襯底中心的分形方片電阻膜,分形方片電阻膜通過在正方型電阻膜四條邊各自中點向正方型中心去除4個相同的矩形得到;
方環結構電阻型頻率選擇表面FSS(3)為襯底中心的方環形電阻膜;
彎曲線結構電阻型頻率選擇表面FSS(5)包括襯底上的4個彎曲線單元(51),左上角的彎曲線單元(51)包括:位于上方橫向上依次連接的多個橫向方波結構(511)、連接在橫向方波結構(511)下方的縱向上依次連接的縱向方波結構(512),左上角的彎曲線單元(51)繞襯底中心依次順時針旋轉90°分別得到其余3個彎曲線單元(51)。
2.根據權利要求1所述的一種基于多層電阻型FSS的超寬帶吸波結構,其特征在于:分形方片結構電阻型頻率選擇表面FSS(1)、方環結構電阻型頻率選擇表面FSS(3)、彎曲線結構電阻型頻率選擇表面FSS(5)上的頻率選擇表面FSS材料選自導電碳漿、氧化銦錫、石墨烯導電漿料、碳納米管導電漿料、導電銀漿其中一種。
3.根據權利要求1所述的一種基于多層電阻型FSS的超寬帶吸波結構,其特征在于:第一層介質層(2)、第二層介質層(4)、第三層介質層(6)材料選自聚甲基丙烯酰亞胺泡沫、聚酰亞胺泡沫、聚氨酯泡沫、聚氯乙烯泡沫、酚醛泡沫塑料、聚乙烯泡沫塑料其中一種。
4.根據權利要求1所述的一種基于多層電阻型FSS的超寬帶吸波結構,其特征在于:金屬背板(7)材料選擇銅、鋁、金、銀其中一種。
5.權利要求1至4任意一項所述的一種基于多層電阻型FSS的超寬帶吸波結構的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
①選用襯底材料,使用磁控濺射方法將電阻膜鍍在襯底材料表面上;
②采用四探針測試儀測試連續電阻膜的表面電阻,分別制備阻值為20-40Ω/sq、40-60Ω/sq、130-180Ω/sq的系列連續電阻膜;
③通過激光刻蝕技術在系列電阻膜上進行圖案化刻蝕,分別制備阻值范圍為20-40Ω/sq的分形方片結構電阻型頻率選擇表面FSS(1)、阻值范圍為40-60Ω/sq的方環結構電阻型頻率選擇表面FSS(3)、阻值范圍為130-180Ω/sq的彎曲線結構電阻型頻率選擇表面FSS(5);
④選用介質材料,將各層材料按順序粘接成為整體,并在材料底部刻蝕金屬背板(7);
⑤最后通過裁剪、修形,得到基于多層電阻型FSS的超寬帶吸波結構。
6.權利要求1至4任意一項所述的一種基于多層電阻型FSS的超寬帶吸波結構的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
①選用襯底材料,分別通過絲網印刷得到分形方片結構電阻型頻率選擇表面FSS(1)、方環結構電阻型頻率選擇表面FSS(3)、彎曲線結構電阻型頻率選擇表面FSS(5);
②采用四探針測試儀測試連續電阻膜的表面電阻,分別制備阻值為20-40Ω/sq、40-60Ω/sq、130-180Ω/sq的系列連續電阻膜;
④選用介質材料,將各層材料按順序粘接成為整體,并在材料底部刻蝕金屬背板(7);
⑤最后通過裁剪、修形,得到基于多層電阻型FSS的超寬帶吸波結構。
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