[發(fā)明專利]半導體封裝件和制造方法

在審

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• 申請日: 2022-03-22
• 公開（公告）號: CN114843230A
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發(fā)明（設計）人: 鮑新宇;魯立忠;李志純;張豐愿;山姆·瓦齊里;黃博祥
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L23/373;H01L23/16;H01L21/56
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11258
• 代理人: 朱亦林

1.一種半導體器件，包括：

第一再分布結(jié)構(gòu)；

第一管芯，位于所述第一再分布結(jié)構(gòu)之上并電耦合到所述第一再分布結(jié)構(gòu)；

第一貫穿過孔，位于所述第一再分布結(jié)構(gòu)之上并電耦合到所述第一再分布結(jié)構(gòu)；

絕緣層，沿著所述第一再分布結(jié)構(gòu)、所述第一管芯以及所述第一貫穿過孔延伸；以及

密封劑，位于所述絕緣層之上，所述密封劑圍繞所述第一貫穿過孔的一部分和所述第一管芯的一部分，其中，所述密封劑包括濃度范圍為按體積計70％至約95％的導電填料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述密封劑具有大于40W/m·K的熱導率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述密封劑的頂表面與所述第一貫穿過孔的頂表面和所述絕緣層的頂表面齊平，并且其中，所述密封劑的頂表面高于所述第一管芯的頂表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述絕緣層沿著所述第一貫穿過孔的側(cè)壁、所述第一再分布結(jié)構(gòu)的頂表面以及所述第一管芯的頂表面和側(cè)壁延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一管芯通過氧化物對氧化物接合和金屬對金屬接合而接合到所述第一再分布結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一管芯通過導電連接件接合到所述第一再分布結(jié)構(gòu)，其中，所述半導體器件還包括圍繞所述導電連接件的第一底部填充物，并且其中，所述絕緣層沿著所述第一底部填充物的側(cè)壁延伸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述絕緣層的厚度范圍為10nm至100nm，并且其中，所述密封劑的熱導率范圍為40W/m·K至100W/m·K。

8.一種半導體器件，包括：

第一集成電路管芯；

正面再分布結(jié)構(gòu)，位于所述第一集成電路管芯的正面上；

背面再分布結(jié)構(gòu)，位于所述第一集成電路管芯的背面上；

模制化合物，所述模制化合物將所述第一集成電路管芯密封在所述正面再分布結(jié)構(gòu)和所述背面再分布結(jié)構(gòu)之間，所述模制化合物的熱導率大于40W/m·K；

貫穿過孔，延伸穿過所述模制化合物，其中，所述貫穿過孔電耦合到所述正面再分布結(jié)構(gòu)和所述背面再分布結(jié)構(gòu)；以及

絕緣層，覆蓋所述貫穿過孔的側(cè)壁，其中，所述絕緣層將所述貫穿過孔與所述模制化合物分隔開。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體器件，其中，所述模制化合物包括選自銅(Cu)、硅(Si)、銀(Ag)、金(Au)、鐵(Fe)和鎢(W)的導電顆粒，并且其中，所述模制化合物包括濃度范圍為按體積計70％至95％的導電顆粒。

10.一種方法，包括：

在再分布結(jié)構(gòu)之上形成貫穿過孔；

將半導體管芯接合到與所述貫穿過孔相鄰的所述再分布結(jié)構(gòu)；

在所述貫穿過孔、所述再分布結(jié)構(gòu)和所述半導體管芯之上沉積絕緣層，其中，所述絕緣層將所述貫穿過孔、所述再分布結(jié)構(gòu)和所述半導體管芯彼此電隔離；

通過將環(huán)氧樹脂和導電填料進行混合來制備模制化合物，其中，所述導電填料以體積計占所述模制化合物的70％至95％；以及

在所述絕緣層之上沉積所述模制化合物，所述模制化合物被配置為從所述半導體管芯傳導熱量。