[發(fā)明專利]一種晶圓研磨頭以及晶圓吸附方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202210280020.3
• 申請日: 2022-03-21
• 公開（公告）號: CN114515995A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚力軍;潘杰;惠宏業(yè);王學(xué)澤;范興潑
• 申請（專利權(quán)）人: 上海江豐平芯電子科技有限公司
• 主分類號: B24B37/11
• 分類號: B24B37/11;B24B37/34
• 代理公司: 北京遠(yuǎn)智匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659
• 代理人: 牛海燕

1.一種晶圓研磨頭，其特征在于，所述晶圓研磨頭包括研磨頭本體以及環(huán)繞在研磨頭本體外圍的固定裝置；

所述固定裝置包括緊密設(shè)置的第一圓環(huán)和第二圓環(huán)；

所述研磨頭本體、第一圓環(huán)與第二圓環(huán)保持同心；

所述研磨頭本體上設(shè)置有第一氣路以及第二氣路；

所述第一圓環(huán)上均勻設(shè)置有通氣凹槽；

所述通氣凹槽與第二氣路相通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓研磨頭，其特征在于，所述研磨頭本體的形狀包括圓柱體；

優(yōu)選地，所述研磨頭本體的直徑為70-80mm；

優(yōu)選地，所述研磨頭本體的高度為65-70mm；

優(yōu)選地，所述第一氣路設(shè)置于研磨頭本體的中心位置；

優(yōu)選地，所述第二氣路的數(shù)目為5個；

優(yōu)選地，所述第二氣路設(shè)置于第一氣路的外圍；

優(yōu)選地，所述第一氣路的深度與研磨頭本體的高度相同；

優(yōu)選地，所述第二氣路的深度為30-40mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓研磨頭，其特征在于，所述固定裝置上均勻設(shè)置有貫穿固定裝置的螺紋孔；

優(yōu)選地，所述螺紋孔的數(shù)目為6-10個。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的晶圓研磨頭，其特征在于，所述第一圓環(huán)的外圍設(shè)置有倒角；

優(yōu)選地，所述第一圓環(huán)的厚度為25-35mm；

優(yōu)選地，所述第一圓環(huán)的直徑為200-205mm；

優(yōu)選地，所述通氣凹槽的數(shù)目為3-5個；

優(yōu)選地，所述通氣凹槽的深度與第一圓環(huán)的厚度相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的晶圓研磨頭，其特征在于，所述第二圓環(huán)的底面設(shè)置有環(huán)狀凹槽；

優(yōu)選地，所述環(huán)狀凹槽的深度為1.2-1.6mm；

優(yōu)選地，所述環(huán)狀凹槽的寬度為1.6-1.8mm；

優(yōu)選地，所述環(huán)狀凹槽上均勻設(shè)置有螺紋孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的晶圓研磨頭，其特征在于，所述第二圓環(huán)的直徑與第一圓環(huán)的直徑相同；

優(yōu)選地，所述第二圓環(huán)的厚度為15-25mm。

7.一種晶圓吸附方法，其特征在于，所述晶圓吸附方法采用權(quán)利要求1-6任一項所述的晶圓研磨頭進(jìn)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓吸附方法，其特征在于，所述晶圓吸附方法包括如下步驟：

(1)將所述晶圓研磨頭安裝在LK機(jī)臺上，所述晶圓研磨頭的底部設(shè)置有吸附膜；

(2)采用晶圓研磨頭向吸附膜施加壓力，而后抽真空處理，使得晶圓吸附在吸附膜上，完成吸附。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓吸附方法，其特征在于，步驟(2)所述施加壓力處理包括：從中心區(qū)域向外均勻施加壓力；

優(yōu)選地，所述施加壓力中壓力為10-20psi。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓吸附方法，其特征在于，步驟(2)所述抽真空處理的真空度為-0.3至-0.8MPa。