[發明專利]一種富含硫空位的中空Co3 在審
| 申請號： | 202210279692.2 | 申請日： | 2022-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN114613608A | 公開（公告）日： | 2022-06-10 |
| 發明（設計）人： | 談石文;陶凱 | 申請（專利權）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | H01G11/32 | 分類號： | H01G11/32;H01G11/24;H01G11/86 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 315211 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 富含 空位 中空 co base sub | ||
【權利要求書】：
1.一種富含硫空位的中空Co3S4/RGO復合材料的制備方法，特征是在于包括以下步驟：
(1)將0.015g的氧化石墨烯(GO)加入40mL去離子水中，超聲分散1h后，加入0.1g抗壞血酸并攪拌均勻，然后加入一片處理干凈的泡沫鎳，在80℃水浴條件下加熱6h，然后取出，洗滌、干燥，得到RGO/NF；
(2)將1.313g 2-甲基咪唑和0.5820g六水硝酸鈷分別完全溶解在40mL去離子水中。然后混合溶液，將一片RGO/NF加入其中，攪拌10分鐘。室溫靜置溶液4h，洗滌、干燥得到Co-ZIF-L/RGO/NF納米片陣列；
(3)取0.12g的硫代乙酰胺溶于乙醇中，將Co-ZIF-L/RGO/NF納米片陣列加入到溶液中，然后將混合溶液轉移到水熱反應釜中，在125℃下水熱反應4.5h，洗滌、干燥得到Co3S4/RGO/NF；
(4)將Co3S4/RGO/NF置于0.5M NaBH4溶液中，室溫下浸泡2h，洗滌、干燥得到富含硫空位的中空Co3S4/RGO復合材料，簡稱為VS-Co3S4/RGO/NF。
2.根據權利要求1所述制備方法獲得的富含硫空位的VS-Co3S4/RGO/NF作為超級電容器電極材料的用途。
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