[發明專利]α-GeTe二維材料及其PVD制備方法和應用在審
| 申請號： | 202210278701.6 | 申請日： | 2022-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN114725187A | 公開（公告）日： | 2022-07-08 |
| 發明（設計）人： | 段曦東;李威;吳瑞霞 | 申請（專利權）人： | 湖南大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/78;C23C14/06;C23C14/22 |
| 代理公司： | 長沙市融智專利事務所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 盛武生 |
| 地址： | 410082 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gete 二維 材料 及其 pvd 制備 方法 應用 | ||
1.一種α-GeTe二維材料的PVD制備方法，其特征在于：將GeTe原料在600-700℃下揮發；將揮發的原料在含氫氣載氣、340-380℃的沉積溫度下在無懸掛鍵的基底表面物理氣相沉積，制得α-GeTe二維材料；
所述的含氫氣載氣為氫氣和保護性氣氛的混合氣，其中，氫氣的流量為1-10sccm，保護性氣氛的流量為70～90sccm。
2.如權利要求1所述的α-GeTe二維材料的PVD制備方法，其特征在于：GeTe原料的揮發溫度為620～675℃，進一步優選為620～630℃；
優選地，所述的GeTe原料的純度大于或等于99％，進一步優選為大于或等于99.9％。
3.如權利要求1所述的α-GeTe二維材料的PVD制備方法，其特征在于：所述的含氫氣載氣中，所述的保護性氣氛為氮氣、惰性氣體中的至少一種。
4.如權利要求1所述的α-GeTe二維材料的PVD制備方法，其特征在于：含氫氣載氣中，氫氣的流量為2～8sccm，優選為4～8sccm；
保護性氣氛的流量優選為75～85sccm。
5.如權利要求1所述的α-GeTe二維材料的PVD制備方法，其特征在于：加熱揮發區域的溫度為620～675℃，進一步優選為620～630℃。
6.如權利要求1所述的α-GeTe二維材料的PVD制備方法，其特征在于：物理氣相沉積區域溫度340～360℃，進一步優選為340～350℃；
優選地，物理氣相沉積的時間為5～15min。
7.如權利要求1所述的α-GeTe二維材料的PVD制備方法，其特征在于：無懸掛鍵的云母或者二維材料基底；
所述的二維材料基底為沉積有MX2二維材料的基底；
優選地，所述的M為過渡金屬元素，進一步優選為Mo、W中的至少一種；
優選地，所述的X為S、Se中的至少一種；
優選地，所述的無懸掛鍵的基底具有平整表面；
優選地，所述的二維材料基底中，二維材料的平面尺寸大于或等于50um；優選大于或等于200um。
8.一種權利要求1～7任一項所述制備方法制得的α-GeTe二維材料。
9.一種權利要求1～7任一項所述制備方法制得的α-GeTe二維材料的應用，其特征在于，將其用于制備微納電子器件；
優選地，所述的微納電子器件為場效應晶體管；
優選地，場效應晶體管的制備步驟為：
在無懸掛鍵的基底的α-GeTe二維納米片表面上用電子束曝光標記樣品，隨后再在其表面沉積金屬，得到場效應晶體管；
優選地，通過真空鍍膜機在α-GeTe納米片表面上沉積金屬；
優選地，所述的金屬為Cr和Au。
10.一種場效應晶體管器件，其特征在于，包含權利要求1～7任一項所述制備方法制得的α-GeTe二維材料，或由所述的α-GeTe二維材料制備得到。
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