[發明專利]一種用于人工晶體爐的晶體冷卻裝置在審
| 申請號: | 202210278020.X | 申請日: | 2022-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN114686966A | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發明(設計)人: | 郭李梁 | 申請(專利權)人: | 郭李梁 |
| 主分類號: | C30B15/00 | 分類號: | C30B15/00;C30B28/10;C30B29/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 471000 河南省洛陽市*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 人工 晶體 冷卻 裝置 | ||
1.一種用于人工晶體爐的晶體冷卻裝置,包括上法蘭(3)、下法蘭(5)、晶體冷卻管(7)和冷卻介質通道,其特征是:在所述上法蘭(3)與下法蘭(5)之間設有復數個晶體冷卻管(7),在晶體冷卻管(7)的外圍設有冷卻介質通道,所述冷卻介質通道的進口通過管道連接冷卻源,冷卻介質通道的出口通過管道連接冷卻介質回收機構形成所述的用于人工晶體爐的晶體冷卻裝置。
2.根據權利要求1所述的用于人工晶體爐的晶體冷卻裝置,其特征是:所述下法蘭(5)的下方設有冷卻盤(25),所述冷卻盤(25)的中部設有空腔(24),在所述空腔(24)內設有復數個固定柱(26),在每個固定柱(26)上分別設有晶體提拉孔(27),空腔(24)分別連通出水管(23)和進水管(28),所述出水管(23)和進水管(28)連通冷卻介質通道。
3.根據權利要求1所述的用于人工晶體爐的晶體冷卻裝置,其特征是:所述冷卻介質通道設置的第一結構為在上法蘭(3)與下法蘭(5)之間設置連接筒(4),在所述連接筒(4)內設有復數個晶體冷卻管(7),每個晶體冷卻管(7)的上端分別連接設置在上法蘭(3)上的晶體上穿孔(1),每個晶體冷卻管(7)的下端分別連接設置在下法蘭(5)上的晶體下穿孔(9),由連接筒(4)的內緣面與上法蘭(3)下端面、下法蘭(5)上端面之間的空腔形成冷卻介質通道,在上法蘭(3)上分別設有出水口(2)和進水口(6),所述出水口(2)和進水口(6)分別形成冷卻介質通道的進口和出口。
4.根據權利要求1所述的用于人工晶體爐的晶體冷卻裝置,其特征是:所述冷卻介質通道設置的第二結構為在每個晶體冷卻管(7)的外圍分別套接套管(13),每個套管(13)的上端頭分別連通設置在上法蘭(3)中部的進水腔(11),每個套管(13)的下端頭分別連通設置在下法蘭(5)中部的集水腔(16),由套管(13)的內緣面與晶體冷卻管(7)的外緣面之間的冷卻腔(12)、進水腔(11)和集水腔(16)形成冷卻介質通道,所述進水腔(11)連通進水口(6),所述集水腔(16)通過回水管(14)連接出水口(2),所述出水口(2)和進水口(6)分別形成冷卻介質通道的進口和出口。
5.根據權利要求1所述的用于人工晶體爐的晶體冷卻裝置,其特征是:所述冷卻介質通道設置的第三結構為在每個晶體冷卻管(7)的外圍分別套接套管(13),在每個套管(13)的上端頭分別設有向下凹陷的半圓臺階(22),每個套管(13)的上端頭分別連通設置在上法蘭(3)上部的進水腔(11),每個半圓臺階(22)的上端頭分別連通設置在上法蘭(3)下部的回水腔(20),每個套管(13)的下端頭分別連通設置在下法蘭(5)上部的集水腔(16),由套管(13)的內緣面與晶體冷卻管(7)的外緣面之間的冷卻腔(12)、進水腔(11)、回水腔(20)和集水腔(16)形成冷卻介質通道,所述進水腔(11)連通進水口(6),所述回水腔(20)通過連接管(19)連接出水口(2),所述出水口(2)和進水口(6)分別形成冷卻介質通道的進口和出口。
6.根據權利要求1所述的用于人工晶體爐的晶體冷卻裝置,其特征是:所述冷卻介質通道設置的第四結構為在每個晶體冷卻管(7)的外圍分別套接套管(13),在每個套管(13)的上端頭分別設有向下凹陷的半圓臺階(22),每個套管(13)的上端頭分別連通設置在上法蘭(3)上部的進水腔(11),每個半圓臺階(22)的上端頭分別連通設置在上法蘭(3)下部的回水腔(20),每個套管(13)的下端頭分別連接下法蘭(5),由套管(13)的內緣面與晶體冷卻管(7)的外緣面之間的冷卻腔(12)、進水腔(11)和回水腔(20)形成冷卻介質通道,所述進水腔(11)連通進水口(6),所述回水腔(20)通過連接管(19)連接出水口(2),所述出水口(2)和進水口(6)分別形成冷卻介質通道的進口和出口。
7.根據權利要求5或6任一權利要求所述的用于人工晶體爐的晶體冷卻裝置,其特征是:所述晶體冷卻管(7)與套管(13)之間的冷卻腔(12)內設有隔板(29)。
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