[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202210274552.6 | 申請日: | 2022-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN114628478A | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發明(設計)人: | 楊鳴;劉程;李振;秦少杰;鮑建東 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭棟梁 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請公開了一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,包括:襯底基板,襯底基板包括預設區和顯示區;顯示層,顯示層設在襯底基板的一側,包括位于顯示區的第一子像素和位于預設區的第二子像素;第一黑矩陣,第一黑矩陣設在顯示層背離襯底基板一側的顯示區內,第一黑矩陣包括與第一子像素對應的多個第一開口;定型層,所述定型層至少部分位于所述預設區內,所述定型層包括多個透光部以及與所述第二子像素對應的多個第二開口;彩膜層,彩膜層設在顯示層背離襯底基板的一側;彩膜層包括位于顯示區和預設區的多個彩色濾光片,彩色濾光片與第一開口和第二開口的位置對應。
技術領域
本申請一般涉及顯示技術領域,具體涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(OrganicLight-Emitting Diode,簡稱OLED)主要有可自主發光,可設置柔性屏,發光效率高,響應時間快等優點。隨著屏幕生產技術的進步,OLED屏幕設計為了追求更高的屏占比以及電子元器件的更高集成度,具有顯示功能的屏下攝像技術和屏下指紋技術等屏下技術成為強訴求。
例如,具備顯示功能的屏下攝像技術是使環境光線透過屏幕膜層到達底層被攝像頭捕捉到進行成像,這種技術要求OLED器件的膜層材料具有比較高的透過率。COE(Colorfilter on encapsulation)在FDC(Full Display with Camera)上的應用對比偏光片而言具有更好的優勢。
然而,由于黑矩陣(Black Matrix,BM)、彩膜層(Color Filter,CF)及電極層的遮擋,基于COE的OLED的透光率非常低,無法滿足屏下技術對透過率的要求。
發明內容
鑒于現有技術中的上述缺陷或不足,期望提供一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,可以實現屏下技術。
第一方面,本申請提供了一種顯示基板,包括:
襯底基板,所述襯底基板包括預設區和顯示區;
顯示層,所述顯示層設在所述襯底基板的一側,包括位于所述顯示區的第一子像素和位于所述預設區的第二子像素;
第一黑矩陣,所述第一黑矩陣設在所述顯示層背離所述襯底基板一側的所述顯示區內,所述第一黑矩陣包括與所述第一子像素對應的多個第一開口;
定型層,所述定型層至少部分位于所述預設區內,所述定型層包括多個透光部以及與所述第二子像素對應的多個第二開口;
彩膜層,所述彩膜層設在所述顯示層背離所述襯底基板的一側;所述彩膜層包括位于所述顯示區和所述預設區的多個彩色濾光片,所述彩色濾光片與所述第一開口和所述第二開口的位置對應。
可選地,所述定型層與所述第一黑矩陣同層設置。
可選地,單位面積內所述定型層與所述第一黑矩陣的覆蓋面積基本相等。
可選地,在所述定型層的覆蓋區域內,所述定型層上設置有貫穿所述定型層上表面和所述定型層下表面的凹槽。
可選地,所述定型層包括第二黑矩陣,所述定型層包括用于形成所述第二開口的多個定型部,所述定型部包括所述透光部形成的透光部和所述第二黑矩陣形成的第二遮光部。
可選地,所述第一黑矩陣包括用于形成所述第一開口的第一遮光部,所述第一遮光部的寬度大于所述第二遮光部的第二寬度。
可選地,在顯示區和預設區分界處包括第三遮光部,所述第三遮光部的寬度小于所述顯示區內第一遮光部寬度;和/或,所述第三遮光部的寬度大于所述預設區內第二遮光部的寬度。
可選地,所述透光部位于第二遮光部的至少一側;或所述透光部圍繞所述第二遮光部設置;或者,至少部分所述透光部與所述第二遮光部存在交疊。
可選地,所述定型層的透過率不小于95%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





