[發(fā)明專(zhuān)利]一種GaN超薄芯片扇出型封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210274190.0 | 申請(qǐng)日： | 2022-03-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN114361025B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-06-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李春陽(yáng);彭祎;劉明明;羅立輝;方梁洪 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 寧波芯健半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/304 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/304;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京維正專(zhuān)利代理有限公司 11508 | 代理人： | 吳英杰 |
| 地址： | 315000 浙江省寧波市寧波*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 gan 超薄 芯片 扇出型 封裝 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種GaN超薄芯片扇出型封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供具有GaN芯片（4）的GaN晶圓（1），并于GaN晶圓（1）的焊盤(pán)上形成電鍍金屬柱（3），所述電鍍金屬柱（3）位于GaN芯片（4）上；
將GaN晶圓（1）從具有電鍍金屬柱（3）的一側(cè)進(jìn)行切割，切割后切割位置的GaN晶圓（1）的厚度小于等于所預(yù)設(shè)的研磨厚度；
于GaN晶圓（1）靠近電鍍金屬柱（3）的一側(cè)貼上磨片膜，使電鍍金屬柱（3）包覆于其內(nèi)；
將GaN晶圓（1）按照研磨厚度進(jìn)行研磨，使得GaN晶圓（1）分離成若干顆GaN芯片（4）；
于GaN芯片（4）遠(yuǎn)離電鍍金屬柱（3）的一側(cè)進(jìn)行涂膠固化，形成背膠（7），以對(duì)GaN晶圓（1）進(jìn)行背膠（7）保護(hù)；
涂膠完成的GaN芯片（4）的背膠（7）遠(yuǎn)離GaN芯片（4）的一側(cè)利用掩模板進(jìn)行曝光；
曝光后通過(guò)單片顯影機(jī)進(jìn)行顯影，顯影后背膠（7）遠(yuǎn)離GaN芯片（4）的一側(cè)對(duì)應(yīng)固定管腳的位置形成定位點(diǎn)（8）；
將背膠（7）遠(yuǎn)離GaN芯片（4）的一側(cè)涂覆上粘合膠（10），并提供載體圓片（11）后將粘合膠（10）遠(yuǎn)離背膠（7）的一側(cè)粘接于載體圓片（11）上，以將GaN芯片（4）粘接于載體圓片（11）上；
將粘接于載體圓片（11）上的GaN芯片（4）進(jìn)行塑封形成塑封層（9），并通過(guò)研磨工藝研磨塑封層（9）遠(yuǎn)離載體圓片（11）的一側(cè)以將電鍍金屬柱（3）遠(yuǎn)離GaN芯片（4）的一側(cè)露出；
在塑封后的GaN芯片（4）遠(yuǎn)離載體圓片（11）的一側(cè)形成再布線層（12），其一端與電鍍金屬柱（3）電連接，以將塑封后的GaN芯片（4）和外界電器件電連接；
于塑封層（9）上形成PI保護(hù)層（13）并包覆于再布線層（12）外，所述PI保護(hù)層（13）上設(shè)置有露出再布線層（12）的開(kāi)口；
于PI保護(hù)層（13）露出再布線層（12）處形成UBM層（14），作為互聯(lián)的鍵合層；
于UBM層（14）上通過(guò)植球工藝進(jìn)行植球，經(jīng)回流后成球型，形成錫球（15）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN超薄芯片扇出型封裝方法，其特征在于，在將GaN晶圓（1）從具有電鍍金屬柱（3）的一側(cè)進(jìn)行切割的步驟中，包括：將劃片膜貼于GaN晶圓（1）遠(yuǎn)離電鍍金屬柱（3）的一側(cè)，采用激光切割機(jī)于GaN晶圓（1）靠近電鍍金屬柱（3）的一側(cè)進(jìn)行開(kāi)槽，形成激光切割槽（5）；
于激光切割槽（5）的槽底面上使用切割刀將GaN晶圓（1）進(jìn)行切割，形成刀片切割槽（6），以使得切割刀切割后切割位置處的GaN晶圓（1）的厚度小于等于研磨厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種GaN超薄芯片扇出型封裝方法，其特征在于，GaN芯片（4）遠(yuǎn)離電鍍金屬柱（3）的一側(cè)進(jìn)行涂膠固化，形成背膠（7）的步驟中，包括：GaN芯片（4）仍處于磨片膜中并放置于涂膠平臺(tái)上，涂膠平臺(tái)固定不動(dòng)，膠管按照程序設(shè)定好的路徑勻速的移動(dòng)噴膠，同時(shí)涂膠平臺(tái)進(jìn)行加熱，以將噴涂在芯片背面的光刻膠中的溶劑迅速揮發(fā)，形成背膠（7）。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN超薄芯片扇出型封裝方法，其特征在于：在將粘合膠（10）遠(yuǎn)離背膠（7）的一側(cè)粘接于載體圓片（11）上的步驟中，包括：
于所設(shè)置的識(shí)別區(qū)域進(jìn)行識(shí)別，并獲取識(shí)別成功信息；
根據(jù)識(shí)別成功信息和未識(shí)別成功信息控制機(jī)械手進(jìn)行移動(dòng)以將所有的識(shí)別點(diǎn)均識(shí)別出對(duì)應(yīng)的定位點(diǎn)（8）；
將背膠（7）遠(yuǎn)離GaN芯片（4）的一側(cè)涂覆上粘合膠（10）并粘接于載體圓片（11）上。
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