[發(fā)明專利]像素排布結構、顯示面板及掩膜版組在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210273177.3 | 申請日: | 2022-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN114823811A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 胡云祥;孫志;包金豹;姜健;常玲霞;冉松松 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;C23C14/04 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 排布 結構 顯示 面板 掩膜版組 | ||
本發(fā)明實施例涉及顯示技術領域,公開了一種像素排布結構,包括多個緊密排列的最小重復單元,每個所述最小重復單元包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素,所述第一子像素、所述第二子像素以及所述第三子像素的顏色各不相同;本實施例中像素排布結構中任意一種顏色的子像素與相鄰另外兩種顏色的子像素通過子像素復用形成六組像素組。本發(fā)明中的像素排布結構、顯示面板及掩膜版組,能夠進一步提升顯示面板的顯示效果。
技術領域
本發(fā)明實施例涉及顯示技術領域,特別涉及一種像素排布結構、顯示面板及掩膜版組。
背景技術
由于現(xiàn)有技術顯示面板結構雖然已經實現(xiàn)了屏幕的超薄和可柔性,但是在實際設計中,由于種種設計難度和技術壁壘之下,由于通過縮小單個子像素的面積來提高顯示分辨率的技術已到達極限,因此,對于AMOLED顯示裝置的顯示分辨率追求目前均停留在較低水平,需通過其他方式來進一步提升顯示面板的顯示效果。
發(fā)明內容
本發(fā)明實施方式的目的在于提供一種像素排布結構、顯示面板及掩膜版組,以進一步提升顯示面板的顯示效果。
為解決上述技術問題,本發(fā)明的實施方式提供了一種像素排布結構,包括多個緊密排列的最小重復單元,每個所述最小重復單元包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素,所述第一子像素、所述第二子像素以及所述第三子像素的顏色各不相同;所述最小重復單元呈六邊形,所述第一子像素單獨占用所述六邊形的第一條邊,所述第二子像素單獨占用所述六邊形的第二條邊,所述第三子像素單獨占用所述六邊形的所述第三條邊,且所述第一條邊、所述第二條邊和所述第三條邊互不相鄰;所述第一子像素和所述第二子像素共同占用所述六邊形的第四條邊,所述第二子像素和所述第三子像素共同占用所述六邊形的第五條邊,所述第一子像素和所述第三子像素共同占用所述六邊形的第六條邊。
另外,所述第一子像素、第二子像素以及第三子像素均呈五邊形,所述第一子像素與所述第二子像素的形狀相同且面積相同。該方案中用于形成第一子像素的掩膜板的反面可用于形成第二子像素,可利用同一掩膜板形成第一子像素和第二子像素,假設掩膜板的正面用于形成第一子像素,則反面可用于形成第二子像素,從而提高了掩膜板的利用率。
另外,所述最小重復單元呈正六邊形。
另外,所述第三子像素為綠色子像素,所述第一子像素的面積大于所述第三子像素的面積。該方案中將第一子像素的面積設置的大于第三子像素的面積,可提高顯示面板的壽命。
另外,所述第一子像素為紅色子像素,所述第二子像素為藍色子像素;或者,所述第一子像素為藍色子像素,所述第二子像素為紅色子像素。
另外,所述第一子像素、第二子像素以及第三子像素均呈五邊形,且所述第一子像素、第二子像素以及第三子像素的形狀相同且面積相同。
另外,所述第三子像素為綠色子像素,所述第二子像素的面積大于所述第三子像素的面積。
另外,所述第三子像素為綠色子像素,所述第一子像素的面積大于所述第三子像素的面積,且所述第二子像素的面積大于所述第三子像素的面積。
本發(fā)明的實施方式還提供了一種顯示面板,包括:上述像素排布結構。
本發(fā)明的實施方式還提供了一種掩膜板組,用于蒸鍍上述像素排布結構;包括:第一掩膜板,用于形成多個所述第一子像素;第二掩膜板,用于形成多個所述第二子像素;第三掩膜板,用于形成多個所述第三子像素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





