[發明專利]靜電吸盤和基板固定裝置在審
| 申請號: | 202210273128.X | 申請日: | 2022-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN115132637A | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發明(設計)人: | 村松佑亮;竹元啟一;原山洋一 | 申請(專利權)人: | 新光電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 龍濤峰;顧紅霞 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 吸盤 固定 裝置 | ||
1.一種靜電吸盤,包括:
基體,其包括:安裝面,待吸附對象安裝在所述安裝面上;以及背面,所述背面與所述安裝面相反;
隔絕層,其形成在所述背面上;
加熱元件,其內置于所述隔絕層中,并且構造成產生熱量;以及
至少一個熱擴散層,其內置于所述基體中并且構造成擴散由所述加熱元件產生的熱量,其中,所述至少一個熱擴散層由熱導率高于所述基體的熱導率的材料形成。
2.根據權利要求1所述的靜電吸盤,其中,
所述至少一個熱擴散層包括在所述基體的厚度方向上彼此層疊布置的多個熱擴散層。
3.根據權利要求2所述的靜電吸盤,還包括:
電極,其內置于所述基體中;以及
豎直布線,其內置于所述基體中以與所述電極電連接,
其中,所述豎直布線包括多個彼此交替地布置的焊盤和導通部,并且
所述豎直布線內置于所述基體中,以與所述熱擴散層間隔開。
4.根據權利要求3所述的靜電吸盤,其中,
在所述厚度方向上,所述焊盤中的每一個焊盤的位置與所述熱擴散層中的對應一個熱擴散層的位置相同,并且
所述焊盤中的每一個焊盤內置于所述基體中,以與對應的所述熱擴散層間隔開。
5.根據權利要求3所述的靜電吸盤,其中,
在俯視時,所述熱擴散層圍繞所述豎直布線。
6.根據權利要求5所述的靜電吸盤,其中,
在俯視時,所述熱擴散層中的每一個熱擴散層形成為在除了形成有所述豎直布線的區域之外遍及整個所述基體。
7.根據權利要求3所述的靜電吸盤,其中,
在所述厚度方向上,所述焊盤中位于最下層的焊盤與所述背面之間的距離長于所述熱擴散層中的最下熱擴散層與所述背面之間的距離。
8.根據權利要求3所述的靜電吸盤,其中,
在所述厚度方向上,所述焊盤中位于最下層的焊盤與所述背面之間的距離等于所述熱擴散層中的最下熱擴散層與所述背面之間的距離。
9.根據權利要求8所述的靜電吸盤,其中,
所述焊盤的層數小于所述熱擴散層的層數。
10.根據權利要求2所述的靜電吸盤,其中,
在所述厚度方向上,所述熱擴散層中的最上熱擴散層與所述安裝面之間的距離長于所述熱擴散層中的最下熱擴散層與所述背面之間的距離。
11.根據權利要求2所述的靜電吸盤,其中,
在所述厚度方向上,所述熱擴散層中的最上熱擴散層與所述安裝面之間的距離短于所述熱擴散層中的最下熱擴散層與所述背面之間的距離。
12.根據權利要求1至11中任一項所述的靜電吸盤,
其中,所述至少一個熱擴散層的整個外周面在所述基體的外周面中露出。
13.一種基板固定裝置,包括:
底板;以及
根據權利要求1至11中任一項所述的靜電吸盤,所述靜電吸盤安裝在所述底板的一個表面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





