[發明專利]接觸電阻的測試版圖及測試方法

在審

• 申請號: 202210272810.7
• 申請日: 2022-03-18
• 公開（公告）號: CN114664796A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 王學偉;杜青松
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66;H01L27/02;G06F30/392
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 陳萬青;張穎玲

本公開實施例提供一種接觸電阻的測試版圖及測試方法；其中，所述測試版圖包括：有源層，所述有源層包括若干個有源區圖案；第一接觸栓塞層，所述第一接觸栓塞層包括多個重復設置的第一接觸栓塞圖案；第二接觸栓塞層，所述第二接觸栓塞層包括多個重復設置的第二接觸栓塞圖案；第一金屬層和第二金屬層；所述有源層、所述第一接觸栓塞層和所述第一金屬層構成第一版圖，所述第一版圖用來形成第一接觸栓塞結構；所述有源層、所述第一接觸栓塞層、所述第一金屬層、所述第二接觸栓塞層和所述第二金屬層構成第二版圖，所述第二版圖用來形成并聯的第一接觸栓塞結構和第二接觸栓塞結構。

技術領域

本公開實施例涉及半導體技術領域，涉及但不限于一種接觸電阻的測試版圖及測試方法。

背景技術

相關技術中，半導體器件中接觸孔的接觸電阻有多種測量方式，但這些測量方式都只能測量單一類型接觸孔的接觸電阻，相關技術在測量時，設置多個接觸孔，再對測得的測試結果進行平均后，得到每一接觸孔的接觸電阻值。

但是，相關技術中的測量方法測得的接觸孔的接觸電阻值受到較多外在因素影響，接觸孔真實的接觸電阻值與測得的電阻值之間存在較大誤差。

發明內容

有鑒于此，本公開實施例提供一種接觸電阻的測試版圖及測試方法。

第一方面，本公開實施例提供一種接觸電阻的測試版圖，所述測試版圖包括：

有源層，所述有源層包括若干個有源區圖案；

第一接觸栓塞層，所述第一接觸栓塞層包括多個重復設置的第一接觸栓塞圖案；

第二接觸栓塞層，所述第二接觸栓塞層包括多個重復設置的第二接觸栓塞圖案；

第一金屬層和第二金屬層；

所述有源層、所述第一接觸栓塞層和所述第一金屬層構成第一版圖，所述第一版圖用來形成第一接觸栓塞結構；

所述有源層、所述第一接觸栓塞層、所述第一金屬層、所述第二接觸栓塞層和所述第二金屬層構成第二版圖，所述第二版圖用來形成并聯的第一接觸栓塞結構和第二接觸栓塞結構。

在一些實施例中，所述第一金屬層包括若干條第一金屬線圖案；

所述有源區圖案上包括至少兩個所述第一接觸栓塞圖案，每一所述第一接觸栓塞圖案位于所述有源區圖案與所述第一金屬線圖案的重疊區域，形成所述第一版圖。

在一些實施例中，所述第二金屬層包括若干條第二金屬線圖案；

所述有源區圖案上包括至少兩個所述第一接觸栓塞圖案和至少兩個所述第二接觸栓塞圖案，每一所述第二接觸栓塞圖案與所述第一接觸栓塞圖案重合，且位于所述有源區圖案與所述第一金屬線圖案的重疊區域，所述第二金屬線圖案覆蓋位于同一所述有源區圖案上的至少兩個所述第二接觸栓塞圖案，形成所述第二版圖。

在一些實施例中，所述第一版圖和所述第二版圖共用若干個所述有源區圖案。

在一些實施例中，所述有源區圖案呈S形直鏈式排布；或，

所述有源區圖案沿第一方向和/或第二方向呈陣列排布；其中，所述第一方向與所述第二方向相互垂直。

在一些實施例中，所述第一金屬線圖案包括至少一個第一U形圖案和至少一個第二U形圖案。

在一些實施例中，所述第一版圖中所述第一金屬線圖案的長度之和，等于所述第二版圖中所述第一金屬線圖案的長度之和。

在一些實施例中，所述第一版圖還包括兩個第一接觸襯墊圖案；所述第二版圖還包括兩個第二接觸襯墊圖案。

在一些實施例中，所述測試版圖還包括柵極層，所述柵極層包括若干個柵極圖案；