[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210270769.X
• 申請(qǐng)日: 2022-03-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114823847A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林威;沈劍飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華為數(shù)字能源技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 北京億騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11309
• 代理人: 劉辰雷;陳霽

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底之上P型半導(dǎo)體層；

位于所述P型半導(dǎo)體層之上，且和所述P型半導(dǎo)體層接觸的緩沖層；

位于所述緩沖層之上的溝道層；

位于所述溝道層之上的勢(shì)壘層；

以及源極、柵極和漏極；其中，所述P型半導(dǎo)體層和所述源極連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括：

與所述P型半導(dǎo)體層接觸的P型歐姆接觸電極，其中，所述P型半導(dǎo)體層通過(guò)所述P型歐姆接觸電極和所述源極連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述P型歐姆接觸電極設(shè)置在所述P型半導(dǎo)體層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層的下表面全部與所述P型半導(dǎo)體層接觸；其中，所述下表面為靠近所述襯底的一面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，每一立方厘米所述P型半導(dǎo)體層中的P型雜質(zhì)原子的數(shù)量為10¹⁷-10¹⁹。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層包括多個(gè)第一緩沖層，所述P型半導(dǎo)體層包括多個(gè)第一P型半導(dǎo)體層，所述多個(gè)第一緩沖層和所述多個(gè)第一P型半導(dǎo)體層交錯(cuò)堆疊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括：

與所述多個(gè)第一P型半導(dǎo)體層同時(shí)接觸的P型歐姆接觸電極，其中，所述多個(gè)第一P型半導(dǎo)體層通過(guò)所述P型歐姆接觸電極和所述源極連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述P型半導(dǎo)體層和所述襯底之間設(shè)置有應(yīng)力釋放層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，P型半導(dǎo)體層為P型氮化鎵，所述緩沖層為C摻雜氮化鎵，所述溝道層為非故意摻雜氮化鎵。

10.一種功率轉(zhuǎn)化電路，其特征在于，所述電路包含電容、以及，如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件。

11.一種供電系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括多個(gè)發(fā)電單元、高壓電源；其中，每個(gè)發(fā)電單元包括：低壓電源，以及，如權(quán)利要求10所述的功率轉(zhuǎn)化電路。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述低壓電源為光伏組串，所述高壓電源為直流負(fù)載。

13.一種半導(dǎo)體器件制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上生長(zhǎng)第一半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層包括P型半導(dǎo)體層；

在所述P型半導(dǎo)體層上生長(zhǎng)緩沖層；

在所述緩沖層上生長(zhǎng)溝道層；

在所述溝道層上生長(zhǎng)勢(shì)壘層；

制備源極、柵極和漏極；

連接所述源極和所述P型半導(dǎo)體層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：對(duì)所述P型半導(dǎo)體層進(jìn)行退火；其中，所述退火包括：將所述P型半導(dǎo)體層加熱到600-900℃，并保溫預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)。

15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的方法，其特征在于，所述連接所述源極和所述P型半導(dǎo)體層包括：

從所述勢(shì)壘層的開(kāi)始，沿著朝向所述P型半導(dǎo)體層的方向進(jìn)行刻蝕，并刻蝕到所述P型半導(dǎo)體層，暴露所述P型半導(dǎo)體層的第一區(qū)域；

在所述第一區(qū)域上生長(zhǎng)P型歐姆接觸電極；

連接所述P型歐姆接觸電極和所述源極。