[發(fā)明專利]配管構(gòu)造和處理裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210264760.8 | 申請日: | 2022-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN115132611A | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 門部雅人;似鳥弘彌 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;F17D1/00;F16L55/00 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 構(gòu)造 處理 裝置 | ||
本公開提供一種能夠?qū)⒍鄠€配管的傳導(dǎo)性設(shè)為一定并且改善占地面積效率性的配管構(gòu)造和處理裝置。一種配管構(gòu)造,其將在第1室相鄰配置的多個處理組件和在位于所述第1室的下層的第2室配置、并與所述多個處理組件對應(yīng)地設(shè)置的多個真空泵連接,其中,該配管構(gòu)造具有多個配管,該多個配管將所述多個處理組件和與所述多個處理組件對應(yīng)設(shè)置的所述多個真空泵分別連接,所述多個配管在高度方向上分割成多個模塊,在相同高度的模塊中使用的所述多個配管具有相同形狀。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及配管構(gòu)造和處理裝置。
背景技術(shù)
以往,公知有一種處理裝置,該處理裝置包括:處理部,其包含相連地配置于第1室的多個處理組件和配置于第1室并收容載體的裝載組件,該載體收納有利用多個處理組件進(jìn)行處理的基板;以及多個泵單元,其與多個處理組件分別對應(yīng)地配置于與第1室相鄰的第2室,將對應(yīng)的多個處理組件和多個泵單元連接的連接配管的長度相同(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2020-113629號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
本公開提供一種能夠使多個配管的傳導(dǎo)性一定并且改善占地面積效率性的配管構(gòu)造和處理裝置。
用于解決問題的方案
為了達(dá)成上述目的,本公開的一技術(shù)方案的配管構(gòu)造將在第1室相鄰配置的多個處理組件和在位于所述第1室的下層的第2室配置、并與所述多個處理組件對應(yīng)地設(shè)置的多個真空泵連接,其中,
該配管構(gòu)造具有多個配管,該多個配管將所述多個處理組件和與所述多個處理組件對應(yīng)地設(shè)置的所述多個真空泵分別連接,
所述多個配管在高度方向上分割成多個模塊,在相同高度的模塊中使用的所述多個配管具有相同形狀。
發(fā)明的效果
根據(jù)本公開,能夠使多個配管的傳導(dǎo)性相同。
附圖說明
圖1是表示本公開的第1實(shí)施方式的處理裝置的配置的一個例子的圖。
圖2是表示本實(shí)施方式的配管構(gòu)造的一個例子立體圖。
圖3是本實(shí)施方式的配管構(gòu)造的主視圖。
圖4是本實(shí)施方式的配管構(gòu)造的側(cè)視圖。
圖5是分解地表示本公開的實(shí)施方式的配管構(gòu)造中的一個配管的分解圖。
圖6是表示凸緣的結(jié)構(gòu)的一個例子的圖。
圖7是表示本公開的第2實(shí)施方式的配管構(gòu)造的部分配管的一個例子的圖。
圖8是表示潔凈室設(shè)施構(gòu)造物的開口的一個例子的圖。
圖9是用于說明配管的偏離幅度的圖。
圖10是表示路徑的設(shè)定的想法的圖。
圖11是表示將偏離幅度設(shè)定得較小的配管的形狀的一個例子的圖。
圖12是表示將偏離幅度設(shè)定得較大的配管的形狀的一個例子的圖。
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖,說明用于實(shí)施本發(fā)明的方式。
[第1實(shí)施方式]
圖1是表示本公開的第1實(shí)施方式的處理裝置的配置的一個例子的圖。本實(shí)施方式的處理裝置具有處理組件40、真空泵50和配管構(gòu)造60。處理組件40設(shè)置于第1室10,真空泵50設(shè)于第1室10的下層的第2室20。在第1室10與第2室20之間設(shè)有潔凈室設(shè)施構(gòu)造物30。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210264760.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





