[發明專利]半導體結構及半導體結構的制作方法

在審

• 申請號: 202210262750.0
• 申請日: 2022-03-17
• 公開（公告）號: CN114725034A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 張永會
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453
• 代理人: 魯盛楠

1.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包括：

第一晶圓，所述第一晶圓包括多個第一晶粒，相鄰的所述第一晶粒之間具有切割道區；

保護層，所述保護層至少設置于每個所述第一晶粒的側壁面，所述保護層位于所述切割道區，所述保護層包括從所述第一晶粒的側壁面向外側凸出的凸起部。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述凸起部包括第一端部和第二端部，所述第一端部與所述第一晶粒側壁面相連；

沿所述第一晶圓的軸向方向，所述第二端部的厚度大于所述第一端部的厚度。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一晶粒包括相對的第一表面和第二表面，所述第二表面與用于承載所述第一晶圓的載體相連，所述第一表面遠離所述載體；

所述凸起部設置凹槽，所述凹槽的開口方向朝向遠離所述第二表面的一側。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：

第二晶圓，所述第二晶圓包括鍵合面；

脫離所述載體的所述第一晶粒，通過所述第一表面與所述第二晶圓的鍵合面鍵合連接。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，相鄰的兩個所述第一晶粒的凸起部之間具有間隙。

6.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，所述半導體結構的制作方法包括：

提供第一晶圓，所述第一晶圓包括多個第一晶粒，相鄰的所述第一晶粒之間具有切割道區；

至少在每個所述第一晶粒的側壁面形成保護層，所述保護層位于所述切割道區，所述保護層包括從所述第一晶粒的側壁面向外側凸出的凸起部。

7.根據權利要求6所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述至少在每個所述第一晶粒的側壁面形成保護層，包括：

在每個所述第一晶粒的側壁面形成介質層，位于同一所述切割道區中相鄰的兩個所述介質層被第一間隙隔開；

去除每個所述介質層的部分結構，被保留的所述介質層形成所述保護層。

8.根據權利要求7所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述在每個所述第一晶粒的側壁面形成介質層，包括：

在每個所述切割道區中形成第一材料層；

對每個所述第一材料層進行第一刻蝕，在每個所述第一材料層中形成所述第一間隙，所述第一間隙暴露出所述第一晶圓的載體的表面，所述第一間隙將所述第一材料層分隔成相互獨立的兩個所述介質層。

9.根據權利要求8所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述去除每個所述介質層的部分結構，包括：

在預定條件下對每個所述介質層進行第二刻蝕，所述第二刻蝕的深度小于所述第一晶粒的高度。

10.根據權利要求9所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述在預定條件下對所述切割道區進行第二刻蝕，包括：

通過刻蝕氣體刻蝕所述介質層，同時向所述介質層通入保護氣體，所述保護氣體在所述第一晶粒的側壁面形成氣流層，每個所述介質層的部分結構位于所述氣流層中，所述刻蝕氣體刻蝕去除位于所述氣流層外的所述介質層；

刻蝕至預定深度后停止刻蝕，被保留的所述介質層形成所述保護層，靠近所述載體的所述介質層形成所述凸起部。

11.根據權利要求10所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述在預定條件下對所述切割道區進行第二刻蝕，還包括：

刻蝕持續預設時長后，停止通入所述保護氣體，繼續通過所述刻蝕氣體刻蝕所述介質層，在所述凸起部的遠離所述載體的一側形成凹槽，所述凹槽的開口方向朝向遠離所述載體的一側。