[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制作方法以及半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210259148.1
• 申請(qǐng)日: 2022-03-16
• 公開（公告）號(hào): CN114709169A
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭阿曼;伍術(shù)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/538;H01L23/64;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 霍文娟

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供鍵合結(jié)構(gòu)，所述鍵合結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、鍵合界面、臺(tái)階區(qū)域以及層疊結(jié)構(gòu)，所述層疊結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置的第一導(dǎo)電層、絕緣介質(zhì)層以及第二導(dǎo)電層；

去除部分的所述層疊結(jié)構(gòu)，使得所述臺(tái)階區(qū)域的遠(yuǎn)離所述鍵合界面的部分表面裸露，剩余的所述層疊結(jié)構(gòu)形成多個(gè)間隔的半導(dǎo)體部，所述半導(dǎo)體部包括依次設(shè)置的第一導(dǎo)電部、絕緣介質(zhì)部以及第二導(dǎo)電部，且各所述第一導(dǎo)電部的第一預(yù)定表面裸露，所述第一預(yù)定表面為所述第一導(dǎo)電部的遠(yuǎn)離所述臺(tái)階區(qū)域的部分表面；

在所述鍵合結(jié)構(gòu)的裸露表面上形成介質(zhì)層；

形成多個(gè)第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及多個(gè)第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)貫穿所述介質(zhì)層且與所述第一預(yù)定表面一一對(duì)應(yīng)接觸，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)貫穿所述介質(zhì)層且與所述第二導(dǎo)電部的遠(yuǎn)離所述絕緣介質(zhì)部的表面一一對(duì)應(yīng)接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，去除部分的所述層疊結(jié)構(gòu)，使得所述臺(tái)階區(qū)域的遠(yuǎn)離所述鍵合界面的部分表面裸露，剩余的所述層疊結(jié)構(gòu)形成多個(gè)間隔的半導(dǎo)體部，包括：

刻蝕所述層疊結(jié)構(gòu)，形成多個(gè)孔洞，所述孔洞使得部分的第二預(yù)定表面裸露，所述第二預(yù)定表面為所述臺(tái)階區(qū)域的遠(yuǎn)離所述鍵合界面的表面，剩余的所述第一導(dǎo)電層形成多個(gè)所述第一導(dǎo)電部，剩余的所述絕緣介質(zhì)層形成多個(gè)預(yù)備絕緣介質(zhì)部，剩余的所述第二導(dǎo)電層形成多個(gè)第二預(yù)備導(dǎo)電部；

依次去除部分的各所述第二預(yù)備導(dǎo)電部以及部分的各所述預(yù)備絕緣介質(zhì)部，使得對(duì)應(yīng)的各所述第一預(yù)定表面裸露，剩余的所述預(yù)備絕緣介質(zhì)部形成所述絕緣介質(zhì)部，剩余的所述第二預(yù)備導(dǎo)電部形成所述第二導(dǎo)電部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，刻蝕所述層疊結(jié)構(gòu)，形成多個(gè)貫穿至所述臺(tái)階區(qū)域的遠(yuǎn)離所述鍵合界面的表面的孔洞，包括：

在所述層疊結(jié)構(gòu)的裸露表面上形成第一掩膜層；

以所述第一掩膜層為掩膜，刻蝕所述層疊結(jié)構(gòu)，以形成多個(gè)所述孔洞；

去除所述第一掩膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，依次去除部分的各所述預(yù)備絕緣介質(zhì)部以及部分的各所述第二預(yù)備導(dǎo)電部，使得對(duì)應(yīng)的所述第一預(yù)定表面裸露，包括：

在形成有所述孔洞的所述鍵合結(jié)構(gòu)的裸露表面上形成犧牲層，所述犧牲層填充各所述孔洞；

在所述犧牲層的裸露表面上形成第二掩膜層；

以所述第二掩膜層為掩膜，刻蝕所述犧牲層以及所述層疊結(jié)構(gòu)，以使得各所述預(yù)備絕緣介質(zhì)部的遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電部的部分表面裸露，剩余的各所述第二預(yù)備導(dǎo)電部形成各所述第二導(dǎo)電部；

去除部分的各所述預(yù)備絕緣介質(zhì)部，使得各所述第一預(yù)定表面裸露，剩余的各所述預(yù)備絕緣介質(zhì)部形成所述絕緣介質(zhì)部；

去除剩余的所述犧牲層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成多個(gè)第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及多個(gè)第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括：

對(duì)形成有所述介質(zhì)層的所述鍵合結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以形成多個(gè)第一凹槽以及多個(gè)第二凹槽，所述第一凹槽貫穿至所述第一預(yù)定表面，所述第二凹槽貫穿至所述第二導(dǎo)電部的遠(yuǎn)離所述絕緣介質(zhì)部的表面；

分別在所述第一凹槽中以及所述第二凹槽中填充導(dǎo)電材料，對(duì)應(yīng)形成第一導(dǎo)電柱以及第二導(dǎo)電柱；

在所述第一導(dǎo)電柱的裸露表面上形成第一金屬部，所述第一金屬部以及所述第一導(dǎo)電柱構(gòu)成所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且在所述第二導(dǎo)電柱的裸露表面上形成第二金屬部，所述第二金屬部以及所述第二導(dǎo)電柱構(gòu)成所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述第一金屬部與所述第二金屬部不接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，提供鍵合結(jié)構(gòu)，包括：

提供第一待鍵合結(jié)構(gòu)，所述第一待鍵合結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置的所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及第一待鍵合層，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一基底；

提供第二待鍵合結(jié)構(gòu)，所述第二待鍵合結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置的第二基底、所述層疊結(jié)構(gòu)、所述臺(tái)階區(qū)域以及第二待鍵合層；

以所述第一待鍵合層和所述第二待鍵合層為鍵合界面，鍵合所述第一待鍵合結(jié)構(gòu)以及所述第二待鍵合結(jié)構(gòu)，鍵合后的所述第一待鍵合層和所述第二待鍵合層形成所述鍵合界面；

至少去除部分的所述第二基底，使得所述層疊結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述臺(tái)階區(qū)域的表面裸露，形成所述鍵合結(jié)構(gòu)。