[發明專利]基于石墨烯-介質-金屬結構的太赫茲雙帶可調吸收器

在審

• 申請號: 202210255602.6
• 申請日: 2022-03-16
• 公開（公告）號: CN114498070A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 付麥霞;王金義;楊鵬須;夏娜;葉玉超
• 申請（專利權）人: 河南工業大學
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00;G02B5/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.基于石墨烯-介質-金屬結構的太赫茲雙帶可調吸收器，由周期結構組成，其特征在于包括若干在平面上沿同一個方向周期排列的基本單元；每個基本單元包括三層：上層為U形圖案石墨烯層，中間為電介質聚酰亞胺層，下層為金屬層；

實際加工過程為：首先在襯底上形成介質層薄膜，然后在介質層上采用化學方法或物理 方法鍍一層石墨烯薄膜形成石墨烯層，按照設定的周期和基本單元的個數，通過光刻或電子束曝光對石墨烯進行刻畫，去掉多余的石墨烯薄膜，在同一水平位置開口形成對稱的的U形石墨烯圖案，進而構成具有周期結構的石墨烯層；當所有石墨烯層一次性刻畫完畢后，需要在石墨烯層上鍍一層導電膠。

2.如權利要求1所述的基于石墨烯-介質-金屬結構的太赫茲雙帶可調吸收器，其特征在于，所述的每個基本單元對應的同一水平位置開口形成對稱的的U形石墨烯圖案結構相同，其具體結構形狀如下：U形環的長為15μm，寬為1.5μm，對稱U形石墨烯的開口間距為2μm，開口在同一方向上。

3.如權利要求1所述的基于石墨烯-介質-金屬結構的太赫茲雙帶可調吸收器，其特征在于所述中間電介質層的材料為聚酰亞胺，所述介質層的厚度h=16~17.5μm。

4.如權利要求1所述的基于石墨烯-介質-金屬結構的太赫茲雙帶可調吸收器，其特征在于所述下層為金屬層，其厚度為0.6μm。

5.如權利要求1所述的基于石墨烯-介質-金屬結構的太赫茲雙帶可調吸收器，其特征在于，所述每個單元結構的周期是 15*15μm。

6.如權利要求1所述的基于石墨烯-介質-金屬結構的太赫茲雙帶可調吸收器，其特征在于，所述石墨烯的費米能級為0.1eV～0.6eV。

7.根據權利要求1所述的基于石墨烯-介質-金屬結構的太赫茲雙帶可調吸收器，其特征在于：所述U形石墨烯(2)采用化學氣相法來制作，U形石墨烯(2)中的開口間距通過激光刻蝕來制作。

8.根據權利要求1所述的基于石墨烯-介質-金屬結構的太赫茲雙帶可調吸收器，其特征在于：所述U形石墨烯(2)為單層原子排列結構。

9.根據權利要求1所述的基于石墨烯-介質-金屬結構的太赫茲雙帶可調吸收器，其特征在于：所述底層金屬(4)是為了阻止太赫茲波穿透。