[發(fā)明專利]一種硅刻蝕方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210254286.0
• 申請日: 2022-03-15
• 公開（公告）號: CN114664648A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳長鴻;孫一軍;孫穎;王妹芳;孫家寶;劉艷華;劉志;謝石建
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/02;B81C1/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 林超

1.一種硅刻蝕方法，其特征在于方法包括：

S1、鈍化步驟：在刻蝕機(jī)中，利用RF電源生成鈍化氣等離子體在以二氧化硅作掩膜的硅片表面附著鈍化層；

S2、刻蝕步驟：在刻蝕機(jī)中，調(diào)節(jié)RF電源生成刻蝕氣等離子體對以二氧化硅作掩膜的硅片沿垂直方向進(jìn)行刻蝕；

S3、清洗步驟：在刻蝕機(jī)中，通入清潔氣體，清除以二氧化硅作掩膜的硅片表面的殘余生成物；

S4、循環(huán)S1-S3步驟，直至達(dá)到刻蝕深度，則刻蝕結(jié)束。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種環(huán)保型深硅刻蝕方法，其特征在于：

在步驟S1前，還使用含ICP-RF雙電源的刻蝕機(jī)對以二氧化硅作掩膜的硅片進(jìn)行預(yù)刻蝕，形成在硅片表面的凸起和凹槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種環(huán)保型深硅刻蝕方法，其特征在于：

在預(yù)刻蝕之后且在正式刻蝕前，使用C₄F₆+O₂混合氣體清除硅片表面的原生氧化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種環(huán)保型深硅刻蝕方法，其特征在于：

調(diào)節(jié)腔室壓力40-60mtorr，通入50sccm C₄F₆，通入10sccm O₂，10-50s后，啟動(dòng)ICP電源1300w，RF電源100w，10s后進(jìn)入S1的鈍化步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種環(huán)保型深硅刻蝕方法，其特征在于：

所述的鈍化氣和刻蝕氣均是C₄F₆和SF₆，所述的清潔氣體為O₂。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種環(huán)保型深硅刻蝕方法，其特征在于：

所述S1的鈍化步驟中，通入100sccm的C₄F₆和5sccm的SF₆，調(diào)節(jié)鈍化環(huán)境壓力為40-80mtorr，ICP電源900-1100W，RF電源10-35W，維持硅片溫度5-40℃，鈍化時(shí)間3s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種環(huán)保型深硅刻蝕方法，其特征在于：

所述S2的刻蝕步驟中，再通入5sccm的C₄F₆和100sccm的SF₆，調(diào)節(jié)刻蝕環(huán)境壓力40-80mtorr，ICP電源1000-1500W，RF電源50-100W，維持硅片溫度5-40℃，刻蝕時(shí)間5s。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種環(huán)保型深硅刻蝕方法，其特征在于：

所述S3的清洗步驟中，通入50sccm的O₂，調(diào)節(jié)刻蝕環(huán)境壓力40mtorr，ICP電源1000W，RF電源25W，維持硅片溫度5-40℃，刻蝕時(shí)間3s。