[發(fā)明專利]一種硅基微顯示器件的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210253308.1
• 申請日: 2022-03-15
• 公開（公告）號: CN114628618A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘倩倩;曹賀;劉曉佳;劉勝芳;趙錚濤;呂磊
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107
• 代理人: 吳慧

1.一種硅基微顯示器件的制備方法，其特征在于：包括陽極制備工藝、像素定義層制備工藝和薄膜封裝層制備工藝，所述陽極制備工藝包括：陽極成膜→涂膠及前烘烤→曝光→后烘烤→灰化→刻蝕→去膠；像素定義層制備工藝包括：像素定義層成膜→涂膠及前烘烤→曝光→后烘烤→灰化→刻蝕→去膠；薄膜封裝層制備工藝包括：蒸鍍→薄膜封裝層成膜→涂膠及前烘烤→曝光→后烘烤→灰化→刻蝕→去膠；其中每個制備工藝中的灰化工藝與刻蝕工藝同腔室同步進(jìn)行。

2.如權(quán)利要求1所述的一種硅基微顯示器件的制備方法，其特征在于：所述陽極制備工藝包括：

步驟a.CMOS硅基wafer陽極濺射成膜，得到第一基板(1)；陽極成膜采用濺射方式成膜，膜層為Ti/Al/TiN/ITO的疊層結(jié)構(gòu)，Ti的厚度控制在10nm～20nm，TiN厚度控制在5nm～10nm，Al厚度控制在100nm～300nm，ITO厚度控制在10nm～50nm；

步驟b.對第一基板(1)進(jìn)行涂膠及前烘烤作業(yè)，得到第二基板(2)；對完成陽極成膜的第一基板(1)進(jìn)行光刻膠涂膠作業(yè)；

步驟c.對第二基板(2)進(jìn)行曝光作業(yè)，得到第三基板(3)；對完成涂膠及前烘烤的第二基板(2)進(jìn)行曝光作業(yè)；

步驟d.對第三基板(3)進(jìn)行后烘烤作業(yè)，得到第四基板(4)；對曝光后的第三基板(3)進(jìn)行后烘烤作業(yè)；

步驟e.對第四基板(4)進(jìn)行灰化及刻蝕作業(yè)，得到第五基板(5)；

步驟f.對第五基板(5)進(jìn)行去膠作業(yè)，得到第六基板(6)；完成灰化及刻蝕工藝后，對第五基板(5)進(jìn)行濕法光刻膠剝離，去膠液采用NMP，去膠方式為浸泡+沖洗；即完成陽極制備工藝。

3.如權(quán)利要求2所述的一種硅基微顯示器件的制備方法，其特征在于：所述像素定義層制備工藝包括：

步驟1.對第六基板(6)進(jìn)行像素定義層成膜作業(yè)，得到第七基板(7)；像素定義層成膜采用PECVD方式成膜，膜層選擇SiN；SiN的厚度控制在150nm～200nm；

步驟2.對第七基板(7)進(jìn)行涂膠及前烘烤作業(yè)，得到第八基板(8)；對完成像素定義層成膜的第七基板(7)進(jìn)行光刻膠涂膠作業(yè)；

步驟3.對第八基板(8)進(jìn)行曝光作業(yè)，得到第九基板(9)；對完成涂膠及前烘烤的第八基板(8)進(jìn)行曝光作業(yè)；

步驟4.對第九基板(9)進(jìn)行后烘烤作業(yè)，得到第十基板(10)；對曝光后的第九基板(9)進(jìn)行后烘烤作業(yè)；

步驟5.對第十基板(10)進(jìn)行灰化及刻蝕作業(yè)，得到第十一基板(11)；

步驟6.對第十一基板(11)進(jìn)行去膠作業(yè)，得到第十二基板(12)；完成灰化及刻蝕工藝后，對第十一基板(11)進(jìn)行濕法光刻膠剝離，去膠液采用NMP，去膠方式為浸泡+沖洗；即完成像素定義層制備工藝。

4.如權(quán)利要求3所述的一種硅基微顯示器件的制備方法，其特征在于：所述陽極制備工藝的步驟b中與像素定義層制備工藝的步驟2中，光刻膠選用負(fù)性光刻膠，型號為SU-8 10系列，膠厚選擇1um～1.2um；前烘烤溫度選擇60℃±10℃，前烘烤時(shí)間選擇10s～20s。

5.如權(quán)利要求4所述的一種硅基微顯示器件的制備方法，其特征在于：所述陽極制備工藝的步驟和像素定義層制備工藝的步驟3中曝光機(jī)均選用NSR-I12，曝光量均為400ms±20ms；所述陽極制備工藝的步驟d和像素定義層制備工藝的步驟4中烘烤溫度均選擇150℃±10℃，烘烤時(shí)間均選擇90s±10s。