[發(fā)明專利]基于鏤空結(jié)構(gòu)的寬帶可調(diào)太赫茲超材料吸收器

在審

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• 申請日: 2022-03-15
• 公開（公告）號: CN114498069A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 付麥霞;王金義;楊鵬須;葉玉超;夏娜
• 申請（專利權(quán)）人: 河南工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00;G02B5/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.基于鏤空結(jié)構(gòu)的寬帶太赫茲超材料吸收器，由周期結(jié)構(gòu)組成，其特征在于包括若干在平面上沿同一個方向周期排列的基本單元；每個基本單元包括三層：上層為鏤空“王”字形圖案石墨烯層，中間為電介質(zhì)聚酰亞胺層，下層為金屬層。

2.實際加工過程為：首先在襯底上形成介質(zhì)層薄膜，然后在介質(zhì)層上采用化學(xué)方法或物理方法鍍一層石墨烯薄膜形成石墨烯層，按照設(shè)定的周期和基本單元的個數(shù)，通過光刻或電子束曝光對石墨烯進(jìn)行刻畫，去掉多余的石墨烯薄膜，刻蝕出鏤空“王”字型石墨烯圖案，進(jìn)而構(gòu)成具有周期結(jié)構(gòu)的石墨烯層，當(dāng)所有石墨烯層一次性刻畫完畢后，需要在石墨烯層上鍍一層導(dǎo)電膠。

3.如權(quán)利要求1所述的基于鏤空結(jié)構(gòu)的寬帶太赫茲超材料吸收器，其特征在于，所述的每個基本單元對應(yīng)的鏤空王字型石墨烯圖案結(jié)構(gòu)相同，其具體結(jié)構(gòu)形狀如下：王字型的長為12μm，寬為2μm。

4.如權(quán)利要求1所述的基于鏤空結(jié)構(gòu)的寬帶太赫茲超材料吸收器，其特征在于所述中間電介質(zhì)層的材料為聚酰亞胺，所述介質(zhì)層的厚度h=15~17μm。

5.如權(quán)利要求1所述的基于鏤空結(jié)構(gòu)的寬帶太赫茲超材料吸收器，其特征在于所述下層為金屬層，其厚度為0.1~0.5μm。

6.如權(quán)利要求1所述的基于鏤空結(jié)構(gòu)的寬帶太赫茲超材料吸收器，其特征在于，所述每個單元結(jié)構(gòu)的周期是 19*19μm。

7.如權(quán)利要求1所述的基于鏤空結(jié)構(gòu)的寬帶太赫茲超材料吸收器，其特征在于，所述石墨烯的費(fèi)米能級為0.6eV～1.2eV。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于鏤空結(jié)構(gòu)的寬帶太赫茲超材料吸收器，其特征在于：所述鏤空王字型石墨烯(2)為單層原子排列結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于鏤空結(jié)構(gòu)的寬帶太赫茲超材料吸收器，其特征在于：所述底層金屬(4)是為了阻止太赫茲波穿透。