[發明專利]一種銀波導氫氣濃度探測裝置在審
| 申請號： | 202210251002.2 | 申請日： | 2022-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN114624211A | 公開（公告）日： | 2022-06-14 |
| 發明（設計）人： | 牛艷娜 | 申請（專利權）人： | 陜西咖潤特光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/55 | 分類號： | G01N21/55 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710000 陜西省西安市西咸新區灃東*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 波導 氫氣 濃度 探測 裝置 | ||
1.一種銀波導氫氣濃度探測裝置，其特征在于，包括：第一貴金屬部、透明介質部、第二貴金屬部、貴金屬突出部、鈀膜，所述透明介質部置于所述第一貴金屬部上，所述透明介質部的長度小于所述第一貴金屬部的長度，所述第二貴金屬部置于所述透明介質部上，所述第二貴金屬部的端面與所述透明介質部的端面齊平，所述貴金屬突出部固定在所述第二貴金屬部的端面上，所述貴金屬突出部懸空設置在所述第一貴金屬部的上側，所述鈀膜設置在所述貴金屬突出部上。
2.如權利要求1所述的銀波導氫氣濃度探測裝置，其特征在于：所述第一貴金屬部的材料為金或銀。
3.如權利要求1所述的銀波導氫氣濃度探測裝置，其特征在于：所述第二貴金屬部的材料為銀。
4.如權利要求1所述的銀波導氫氣濃度探測裝置，其特征在于：所述透明介質部的材料為二氧化硅。
5.如權利要求1所述的銀波導氫氣濃度探測裝置，其特征在于：所述透明介質部的厚度小于100納米。
6.如權利要求1所述的銀波導氫氣濃度探測裝置，其特征在于：所述貴金屬突出部為薄膜狀。
7.如權利要求6所述的銀波導氫氣濃度探測裝置，其特征在于：所述貴金屬突出部的厚度小于所述第二貴金屬部的厚度。
8.如權利要求7所述的銀波導氫氣濃度探測裝置，其特征在于：所述貴金屬突出部的厚度小于4微米。
9.如權利要求8所述的銀波導氫氣濃度探測裝置，其特征在于：所述貴金屬突出部的長度大于6微米。
10.如權利要求1所述的銀波導氫氣濃度探測裝置，其特征在于：所述貴金屬突出部的材料為銀。
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