[發明專利]鈍化接觸的太陽能電池和太陽能電池串在審
| 申請號： | 202210249125.2 | 申請日： | 2022-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN114628534A | 公開（公告）日： | 2022-06-14 |
| 發明（設計）人： | 王堯;劉成法;高紀凡;陳達明 | 申請（專利權）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/02 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 駱希聰 |
| 地址： | 213031 江蘇省常*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈍化 接觸 太陽能電池 | ||
1.一種鈍化接觸的太陽能電池，其特征在于，包括：
半導體基體；
依次位于所述半導體基體一表面的第一薄膜層、第二薄膜層以及第一鈍化層，其中，所述第一薄膜層的厚度為0.1～2nm；
依次位于所述半導體基體另一表面的發射極、第二鈍化層以及第三鈍化層；
第一電極，所述第一電極的一端穿過所述第一鈍化層并接觸所述第二薄膜層；以及
第二電極，所述第二電極的一端依次穿過所述第三鈍化層和所述第二鈍化層并接觸所述發射極。
2.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一薄膜層由氧化硅、氧化鋁、氮氧化硅以及氮化硅中的一種化合物組成。
3.如權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一薄膜層由熱生長、濕化學、PECVD以及準分子源干氧中的一種制備方法制備而成。
4.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二薄膜層與所述半導體基體的導電類型一致。
5.如權利要求1或4所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二薄膜層由多晶硅、非晶硅、碳化硅、碳氮化硅及氮氧化硅中的一種化合物或多種化合物的混合物組成。
6.如權利要求5所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二薄膜層由LPCVD、PECVD、APCVD、PVD以及蒸鍍中的一種制備方法制備而成。
7.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一鈍化層和所述第三鈍化層分別由氮化硅、氮氧化硅及氧化硅中的一種化合物或多種化合物的混合物組成。
8.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二鈍化層由氮化硅、氮氧化硅、氧化硅及氧化鎵中的一種化合物或多種化合物的混合物組成。
9.如權利要求7或8所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一鈍化層由PECVD的制備方法制備而成。
10.如權利要求1或7所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二鈍化層和所述第三鈍化層由PEALD、PECVD以及ALD中的一種制備方法制備而成。
11.如權利要求1或7所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一鈍化層和/或所述第三鈍化層中包含氫離子。
12.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述發射極的導電類型與所述半導體基體相反。
13.如權利要求12所述的太陽能電池，其特征在于，所述發射極通過擴散或離子注入的方式實現，且當所述發射極通過所述擴散的方式實現時，所述發射極的擴散源為氣態或液態。
14.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一電極和/或所述第二電極由絲網印刷、激光轉印及電鍍中的一種制備方法制備而成。
15.一種太陽能電池串，包括依次連接的如權利要求1～14任一所述的太陽能電池。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
