[發明專利]一種PbS量子點敏化有機光電探測器及制備方法在審
| 申請號： | 202210249108.9 | 申請日： | 2022-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN114628588A | 公開（公告）日： | 2022-06-14 |
| 發明（設計）人： | 王鵬展;顧德恩 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖歡 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 pbs 量子 點敏化 有機 光電 探測器 制備 方法 | ||
1.一種PbS量子點敏化有機光電探測器，其特征在于：器件的活性層主要由硫化鉛PbS量子點和聚3-己基噻吩P3HT組成，器件活性層中PbS量子點與P3HT有機活性層以平面異質結的方式結合，PbS量子點配體為1,2-乙二硫醇。
2.根據權利要求1所述的一種PbS量子點敏化有機光電探測器，其特征在于：從下至上依次包括襯底(1)、底電極(2)、電子傳輸層(3)、活性層(4)、空穴傳輸層(5)、頂電極(6)。
3.根據權利要求1所述的一種PbS量子點敏化有機光電探測器，其特征在于：PbS量子點的粒徑在4.5nm。
4.根據權利要求1所述的一種PbS量子點敏化有機光電探測器，其特征在于：所述底電極(2)為ITO透明電極，厚度為135nm。
5.根據權利要求1所述的一種PbS量子點敏化有機光電探測器，其特征在于：所述電子傳輸層(3)為ZnO薄膜。
6.根據權利要求1所述的一種PbS量子點敏化有機光電探測器，其特征在于：所述空穴傳輸層(5)為MoO3薄膜，并且/或者所述空穴傳輸層中MoO3薄膜的厚度為10nm。
7.根據權利要求1所述的一種PbS量子點敏化有機光電探測器，其特征在于：所述頂電極(6)為Ag薄膜；并且/或者所述頂電極(6)Ag薄膜的厚度為100nm。
8.權利要求1至7中任意一項所述PbS量子點敏化有機光電探測器的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
(1)將底電極制備在襯底上；
(2)通過旋涂法制備電子傳輸層(3)，
(3)通過多次旋涂制備活性層(4)中配體為1,2-乙二硫醇的PbS量子點膜層，退火溫度為100-120℃，退火時間為3-10min；單次旋涂制備活性層中的P3HT膜層，退火溫度為100-120℃，退火時間為10-15min；
(4)通過熱蒸發制備空穴傳輸層(5)；
(5)通過熱蒸發制備頂電極(6)。
9.根據權利要求8所述的一種PbS量子點敏化有機光電探測器的制備方法，其特征在于：步驟(3)中制備PbS量子點膜層的旋涂次數為4次。
10.根據權利要求8所述的一種PbS量子點敏化有機光電探測器的制備方法，其特征在于：步驟(3)中PbS量子點膜層的退火溫度為110℃，退火時間為5min；
并且/或者步驟(3)中P3HT膜層的退火溫度為110℃，退火時間為10min；
并且/或者步驟(2)中所述電子傳輸層ZnO薄膜的退火溫度為200℃，退火時間為30min。
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇
