[發明專利]制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 202210248065.2
• 申請日: 2022-03-14
• 公開（公告）號: CN115206882A
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 盧泉潓;謝銘峯;郭明誌;蕭名雯
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，包括：

形成多個底層結構，其包括多個柵極電極以及多個源極/漏極磊晶層于一基板之上；

形成一或多個層于該些底層結構之上；

形成一硬質遮罩層于該一或多個層之上；

形成一凹槽圖案于該硬質遮罩層之上；

形成一或多個第一抗蝕層于具有該凹槽圖案的該硬質遮罩層之上；

形成一第一光阻圖案于該一或多個第一抗蝕層之上；

通過以該第一光阻圖案作為蝕刻遮罩，圖案化該一或多個第一抗蝕層，從而形成一第一硬質遮罩圖案；以及

通過使用該第一硬質遮罩圖案，圖案化具有該凹槽圖案的該硬質遮罩層，從而形成一第二硬質遮罩圖案。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中:

該柵極電極延伸于一第一方向，且排列于與該第一方向交錯的一第二方向；以及

該凹槽圖案延伸于該柵極電極之上的該第二方向。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括:

形成一或多個第二抗蝕層于該第二硬質遮罩圖案之上；

通過圖案化該一或多個第二抗蝕層來形成一第三硬質遮罩圖案；以及

通過以該第三硬質遮罩圖案以及該第二硬質遮罩圖案作為蝕刻遮罩，圖案化該一或多個層，從而形成一第四硬質遮罩圖案。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，其中:

該些底層結構還包括一第一層間介電質層，設置于該些源極/漏極磊晶層之上，以及一第二層間介電質層，設置于該第一層間介電質層以及該些柵極電極之上；以及

該方法還包括:

通過以該第四硬質遮罩圖案作為蝕刻遮罩，圖案化該第一層間介電質層以及該第二層間介電質層，從而形成多個溝槽圖案；以及

通過以一導電材料填滿該些溝槽圖案，從而形成多個源極/漏極接觸圖案。

5.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，包括:

形成一底層結構，其包括多個鰭片結構設置于一基板之上、多個柵極結構設置于該些鰭片結構的多個上部部分之上、多個源極/漏極磊晶層設置于該些鰭片結構的多個源極/漏極區之上、以及一層間介電質層設置于該些源極/漏極磊晶層之上；

形成一第一層于該底層結構之上；

形成一第二層于該第一層之上；

形成一第三層于該第二層之上；

形成一第四層于該第三層之上；

形成一第五層于該第四層之上；

形成一凹槽圖案于該第五層之中；

形成一第一抗蝕層于具有該凹槽圖案的該第五層之上；

通過以一第一光阻圖案作為蝕刻遮罩，圖案化該第一抗蝕層；

通過以圖案化的該第一抗蝕層作為蝕刻遮罩，圖案化該第五層；

形成一第二抗蝕層于圖案化的該第五層之上；

通過以一或多個第二光阻圖案作為蝕刻遮罩，圖案化該第二抗蝕層；

通過以圖案化的該第二抗蝕層以及圖案化的該第五層作為蝕刻遮罩，圖案化該第三層及該第四層；

通過以圖案化的該第三層以及圖案化的該第四層作為蝕刻遮罩，圖案化該第二層、該第一層以及該層間介電質層，從而形成多個溝槽圖案于該些源極/漏極磊晶層之上；以及

通過以一導電材料填滿該些溝槽圖案，從而形成多個源極/漏極接觸圖案。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，該第一抗蝕層以及該第二抗蝕層中每一者皆包括具有一有機材料的一底層以及具有硅聚合物的一中間層。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，圖案化的該第二抗蝕層包括多個線型圖案設置于該些柵極電極之上，以及多個間隔物設置于該些源極/漏極磊晶層之上。

8.如權利要求5所述的方法，其特征在于，其中:

該些柵極結構延伸于一第一方向，且排列于與該第一方向交錯的一第二方向；以及

該凹槽圖案延伸于該些柵極結構之上的該第二方向。