[發明專利]一種高電流立體型納米空氣溝道電子管及電子器件有效
| 申請號： | 202210247269.4 | 申請日： | 2022-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN114613841B | 公開（公告）日： | 2023-09-08 |
| 發明（設計）人： | 李男男;羅毅 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院電子工程研究所 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739;H01L21/331;H01L29/778;H01L21/335;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張藝 |
| 地址： | 621999 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電流 立體 納米 空氣 溝道 電子管 電子器件 | ||
1.一種高電流立體型納米空氣溝道電子管，其特征在于，包括：
半導體基底；
位于所述半導體基底一側表面的功能層；所述半導體基底與所述功能層之間存在二維電子氣；
位于所述功能層背向所述半導體基底一側表面的頂電極；
多個沿垂直方向從所述頂電極延伸至所述半導體基底的納米空氣溝道；多個所述納米空氣溝道形成納米空氣溝道陣列。
2.根據權利要求1所述的立體型納米空氣溝道電子管，其特征在于，所述納米空氣溝道陣列中相鄰所述納米空氣溝道間的距離相等。
3.根據權利要求2所述的立體型納米空氣溝道電子管，其特征在于，所述納米空氣溝道長度的取值范圍在1nm至100nm，包括端點值。
4.根據權利要求1所述的立體型納米空氣溝道電子管，其特征在于，用作立體型納米空氣溝道二極管，所述功能層為絕緣介質層。
5.根據權利要求4所述的立體型納米空氣溝道電子管，其特征在于，所述絕緣介質層的厚度不大于60nm。
6.根據權利要求1所述的立體型納米空氣溝道電子管，其特征在于，用作立體型納米空氣溝道三極管，所述功能層包括：
位于所述半導體基底一側表面的第一絕緣介質層；所述二維電子氣存在于所述半導體基底與所述第一絕緣介質層之間；
位于所述第一絕緣介質層背向所述半導體基底一側表面的柵孔電極；
位于所述柵孔電極背向所述半導體基底一側表面的第二絕緣介質層；
所述頂電極位于所述第二絕緣介質層背向所述半導體基底一側表面。
7.根據權利要求6所述的立體型納米空氣溝道電子管，其特征在于，所述沿垂直方向所述柵孔電極與所述頂電極十字交叉疊置。
8.根據權利要求6所述的立體型納米空氣溝道電子管，其特征在于，所述第一絕緣介質層的厚度不大于60nm。
9.根據權利要求1所述的立體型納米空氣溝道電子管，其特征在于，所述半導體基底為重摻雜低阻硅基底。
10.一種電子器件，其特征在于，包括如權利要求1至9任一項權利要求所述的立體型納米空氣溝道電子管。
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