[發明專利]一種裕度調整方法、裕度調整電路及存儲器

在審

• 申請號: 202210247132.9
• 申請日: 2022-03-14
• 公開（公告）號: CN114649021A
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 程彪
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C11/401
• 分類號: G11C11/401;G11C11/4063;G06F3/06
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 張競存;張穎玲

本公開實施例提供了一種裕度調整方法、裕度調整電路及存儲器，應用于包括多個延遲模塊的存儲器，該方法包括：確定電壓參數和溫度參數；通過預設時間裕度模型對電壓參數和溫度參數進行計算，得到目標延遲值；根據目標延遲值控制多個延遲模塊的工作狀態，以調整存儲器的時間裕度。這樣，根據實際工作條件適應性確定目標延遲值，期望存儲器在各個工作條件下均有較好的時間裕度，提高存儲器的可靠性。

技術領域

本公開涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種裕度調整方法、裕度調整電路及存儲器。

背景技術

動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是計算機中常用的半導體存儲器件。在DRAM出廠之前，需要對DRAM進行各種條件下的測試，并根據測試結果確定一個較好的延遲調整值，然后利用裕度調整電路固定延遲調整值，以保證DRAM進行正常工作。換句話說，延遲調整值一旦確定就無法更改，無法在不同的環境條件下達到最佳，影響了DRAM的性能。

發明內容

本公開提供了一種裕度調整方法、裕度調整電路及存儲器，能夠根據實際工作條件適應性確定目標延遲值，提高存儲器的可靠性。

本公開的技術方案是這樣實現的：

第一方面，本公開實施例提供了一種裕度調整方法，應用于包括多個延遲模塊的存儲器，所述方法包括：

確定電壓參數和溫度參數；

通過預設時間裕度模型對所述電壓參數和所述溫度參數進行計算，得到目標延遲值；

根據所述目標延遲值控制所述多個延遲模塊的工作狀態，以調整所述存儲器的時間裕度。

在一些實施例中，所述確定電壓參數和溫度參數，包括：

獲取當前電壓和當前溫度；

將所述當前電壓和參考電壓進行比較，生成所述電壓參數；

對所述當前溫度進行編碼處理，生成所述溫度參數。

在一些實施例中，所述參考電壓包括第一電壓閾值、第二電壓閾值和第三電壓閾值；所述將所述當前電壓和參考電壓進行比較，生成所述電壓參數，包括：

在所述當前電壓小于所述第一電壓閾值的情況下，生成第一電壓參數；

在所述當前電壓大于或等于所述第一電壓閾值且所述當前電壓小于所述第二電壓閾值的情況下，生成第二電壓參數；

在所述當前電壓大于或等于所述第二電壓閾值且所述當前電壓小于所述第三電壓閾值的情況下，生成第三電壓參數；

在所述當前電壓大于或等于所述第三電壓閾值的情況下，生成第四電壓參數。

在一些實施例中，所述第一電壓閾值為1.1伏特，所述第二電壓閾值為1.2伏特，所述第三電壓閾值為1.3伏特。

在一些實施例中，所述方法還包括：

對所述存儲器進行時間裕度測試，得到測試結果；其中，所述測試結果包括所述存儲器在不同溫度和不同電壓下的延遲值；

根據測試結果進行曲線擬合處理，確定初始時間裕度模型；其中，所述初始時間裕度模型包括模型參數的初始結果；

對所述模型參數的初始結果進行移位簡化處理，得到所述模型參數的目標結果；

根據所述模型參數的目標結果，得到所述預設時間裕度模型；其中，所述預設時間裕度模型用于表征溫度、電壓和延遲值之間的關系。

在一些實施例中，所述模型參數包括第一模型參數和第二模型參數；其中，所述第一模型參數用于描述電壓與延遲值的關系，所述第二模型參數用于描述溫度與延遲值的關系；