[發(fā)明專利]一種接觸孔及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210244493.8
• 申請(qǐng)日: 2022-03-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114334811A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖軍;張志敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/027;H01L21/311;H01L23/522
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種接觸孔制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括多個(gè)間隔設(shè)置的閘極結(jié)構(gòu)及覆蓋所述閘極結(jié)構(gòu)的層間介質(zhì)層；

于所述層間介質(zhì)層的上表面形成一光阻層，并圖案化所述光阻層以得到光阻開(kāi)口；

基于圖案化的所述光阻層形成接觸孔于所述層間介質(zhì)層中，且于形成所述接觸孔的過(guò)程中擴(kuò)大所述光阻開(kāi)口以使所述接觸孔的內(nèi)壁形成內(nèi)壁轉(zhuǎn)角；

去除所述光阻層，并圓化所述接觸孔的頂部轉(zhuǎn)角及所述接觸孔的內(nèi)壁轉(zhuǎn)角。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔制作方法，其特征在于，基于所述圖案化的所述光阻層形成接觸孔于所述層間介質(zhì)層中，且于形成所述接觸孔的過(guò)程中擴(kuò)大所述光阻開(kāi)口包括：

對(duì)所述層間介質(zhì)層進(jìn)行第一階段刻蝕；

擴(kuò)大所述光阻開(kāi)口；

對(duì)所述層間介質(zhì)層進(jìn)行第二階段刻蝕。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接觸孔制作方法，其特征在于：當(dāng)所述接觸孔的底面與所述閘極結(jié)構(gòu)的上表面齊平時(shí)，停止所述第一階段刻蝕。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔制作方法，其特征在于：擴(kuò)大后的相鄰兩個(gè)所述光阻開(kāi)口之間的距離不小于相鄰兩個(gè)所述接觸孔之間短路的制程允許度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔制作方法，其特征在于：所述接觸孔貫穿所述層間介質(zhì)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔制作方法，其特征在于：圓化所述接觸孔的頂部轉(zhuǎn)角及圓化所述接觸孔的內(nèi)壁轉(zhuǎn)角同步進(jìn)行。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔制作方法，其特征在于：于所述層間介質(zhì)層中形成所述接觸孔的方法包括等離子體刻蝕，圓化所述接觸孔的頂部轉(zhuǎn)角及所述接觸孔的內(nèi)壁轉(zhuǎn)角的方法包括等離子體刻蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接觸孔制作方法，其特征在于：圓化所述接觸孔的頂部轉(zhuǎn)角及所述接觸孔的內(nèi)壁轉(zhuǎn)角時(shí)采用的等離子體濃度高于形成所述接觸孔時(shí)采用的等離子體濃度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接觸孔制作方法，其特征在于：圓化所述接觸孔的頂部轉(zhuǎn)角及所述接觸孔的內(nèi)壁轉(zhuǎn)角時(shí)采用的控制等離子體方向的電源輸出功率低于形成所述接觸孔時(shí)采用的控制等離子體方向的電源輸出功率。

10.一種接觸孔，其特征在于：所述接觸孔采用如權(quán)利要求1～9任意一項(xiàng)所述的接觸孔制作方法制成。