[發(fā)明專利]一種鍺晶片的雙拋工藝、裝置及鍺晶片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210244203.X | 申請日： | 2022-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN115070512A | 公開（公告）日： | 2022-09-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊紅英 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京愛瑞思光學(xué)儀器有限公司 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;B24B29/02 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭棟梁 |
| 地址： | 100162 北京市大興區(qū)大興經(jīng)濟開發(fā)區(qū)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶片 工藝 裝置 | ||
1.一種鍺晶片的雙拋工藝，其特征在于，用于同時對鍺晶片進行雙面拋光，其中，包括：
第一粗拋工序，采用第一粗拋光液和第一拋光布；
第二粗拋工序，采用第二粗拋光液和第一拋光布；
第一精拋工序，采用第一細(xì)拋光液和第二拋光布；
第二精拋工序，采用第二細(xì)拋光液和第二拋光布；
各工序中轉(zhuǎn)速的關(guān)系為：第一粗拋工序＜第二粗拋工序＜第一精拋工序＜第二精拋工序；所述第一拋光布的硬度大于所述第二拋光布的硬度；各工序中拋光溫度為35℃～40℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺晶片的雙拋工藝，其特征在于，所述第一粗拋光液和所述第二粗拋光液的pH值呈堿性，所述第一粗拋光液包括：0號磨料、氧化劑、堿性pH調(diào)節(jié)劑，所述堿性pH調(diào)節(jié)劑為有機堿；所述第一粗拋光液的pH值為8-11。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍺晶片的雙拋工藝，其特征在于，所述第二粗拋光液包括：0號磨料、氧化劑、堿性pH調(diào)節(jié)劑，所述堿性pH調(diào)節(jié)劑包括有機胺堿和磷酸氫二銨，所述第二粗拋光液的pH值為8-11。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍺晶片的雙拋工藝，其特征在于，所述第一粗拋光液和所述第二粗拋光液中0號磨料的濃度關(guān)系為：所述第一粗拋光液＜所述第二粗拋光液。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍺晶片的雙拋工藝，其特征在于，所述第一細(xì)拋光液和所述第二細(xì)拋光液的pH值呈酸性，所述第一精拋光液包括：1號磨料、酸性pH調(diào)節(jié)劑，所述酸性pH調(diào)節(jié)劑為有機酸；所述第一精拋光液的pH值為4-6。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍺晶片的雙拋工藝，其特征在于，所述第二精拋光液包括：2號磨料、酸性pH調(diào)節(jié)劑，所述酸性pH調(diào)節(jié)劑為有機酸；所述第二精拋光液的pH值為4-6。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍺晶片的雙拋工藝，其特征在于，各拋光液中磨料的粒度大小關(guān)系為：0號磨料＞1號磨料＞2號磨料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺晶片的雙拋工藝，其特征在于，所述第一拋光布為聚氨酯或者聚氨酯內(nèi)填充有氧化鈰，所述第二拋光布為纖維復(fù)合物。
9.一種鍺晶片的雙拋裝置，其特征在于，用于執(zhí)行如權(quán)利要求1-8任一所述的鍺晶片的雙拋工藝，包括：
上盤和下盤，所述上盤和所述下盤上固定設(shè)置有拋光布；所述上盤上設(shè)置有用于噴灑拋光液的開口；
位于所述上盤和所述下盤之間的游星輪盤，所述游星輪盤上設(shè)置有用于容納鍺晶片的通孔。
10.一種鍺晶片，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-8任一所述的鍺晶片的雙拋工藝制備而成。
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