[發(fā)明專利]具有改進的擊穿性能的LDMOS

在審

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• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN115083914A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林欣;祝榮華;張志宏;吳玉靜;皮特·羅德里克斯
• 申請（專利權(quán)）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 馮薇;黃亮

1.一種用于制造橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)的方法，其特征在于，包括：

在隔離區(qū)上方形成導(dǎo)電電極；以及

形成電連接到在所述隔離區(qū)下方的漂移區(qū)的漏極電極，所述導(dǎo)電電極圍繞所述漏極電極，其中所述漏極電極沿著所述LDMOS的有源區(qū)域的中心軸線在所述LDMOS的源極與漏極之間的電流流動的方向上與所述導(dǎo)電電極的第一位置間隔開第一距離，所述漏極電極沿著平行于所述中心軸線且在所述有源區(qū)域內(nèi)的線與所述導(dǎo)電電極的第二位置間隔開第二距離，且所述第一距離小于所述第二距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，制造所述LDMOS包括制造p型場效應(yīng)晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，制造所述LDMOS包括制造n型場效應(yīng)晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)電電極包括在所述第一位置處形成直線式多晶硅翻板，其中所述直線式多晶硅翻板不在所述第二位置處。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)電電極包括在所述第一位置處形成倒角式多晶硅翻板，其中所述倒角式多晶硅翻板不在所述第二位置處。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)電電極包括在所述第一位置處形成階梯式多晶硅翻板，其中所述階梯式多晶硅翻板不在所述第二位置處。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電電極包括多晶硅柵極部分，所述多晶硅柵極部分在所述LDMOS的有源區(qū)域中連接到場板部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電電極包括場板，其中所述場板在所述LDMOS的有源區(qū)域中與導(dǎo)電柵極結(jié)構(gòu)橫向間隔開。

9.一種設(shè)備，其特征在于，包括：

在隔離區(qū)上方的導(dǎo)電電極；以及

連接到在所述隔離區(qū)下方的漂移區(qū)的漏極電極，所述導(dǎo)電電極圍繞所述漏極電極，其中所述漏極電極沿著所述LDMOS的有源區(qū)域的中心軸線在所述LDMOS的源極與漏極之間的電流流動的方向上與所述導(dǎo)電電極的第一位置間隔開第一距離，所述漏極電極沿著平行于所述中心軸線且在所述有源區(qū)域內(nèi)的線與所述導(dǎo)電電極的第二位置間隔開第二距離，且所述第一距離小于所述第二距離。

10.一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，包括：

在隔離區(qū)上方形成板結(jié)構(gòu)；以及

形成電連接到在所述隔離區(qū)下方的漂移區(qū)的漏極電極，其中所述漏極電極沿著所述半導(dǎo)體裝置的有源區(qū)域的中心軸線在所述半導(dǎo)體裝置的源極與漏極之間的電流流動的方向上與所述板結(jié)構(gòu)的第一位置間隔開第一距離，所述漏極電極沿著平行于所述中心軸線且在所述有源區(qū)域內(nèi)的線與所述板結(jié)構(gòu)的第二位置間隔開第二距離，且所述第一距離小于所述第二距離。