[發明專利]光調節結構、光調節結構的制備方法和顯示面板在審
| 申請號: | 202210242990.4 | 申請日: | 2022-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN114613826A | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發明(設計)人: | 侯鵬;王青松 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調節 結構 制備 方法 顯示 面板 | ||
本公開提供了一種光調節結構、光調節結構的制備方法和顯示面板,涉及顯示技術領域,用于提高顯示面板的各顏色子像素的亮度均勻性。光調節結構包括基底層、多個濾光部、填充部以及遮光圖案。多個濾光部位于基底層的一側。多個濾光部間隔設置。填充部位于多個濾光部之間的間隙內和多個濾光部整體的周圍。并且,填充部覆蓋至少一個濾光部遠離基底層一側表面的邊緣部分。遮光圖案位于填充部遠離基底層的一側。本公開提供的光調節結構應用于顯示面板。
技術領域
本公開涉及顯示技術領域,尤其涉及一種光調節結構、光調節結構的制備方法和顯示面板。
背景技術
自發光顯示面板,例如OLED(英文全稱:Organic Light-Emitting Diode,中文名稱:有機發光二極管)顯示面板,因具有自發光、快速響應、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點,受到廣泛應用。
但是,在相關技術中,自發光顯示面板存在各顏色子像素的亮度均勻性較差的問題。
發明內容
本公開的目的在于提供一種光調節結構、光調節結構的制備方法和顯示面板,用于提高顯示面板的各顏色子像素的亮度均勻性。
為了實現上述目的,本公開提供如下技術方案:
一方面,提供了一種光調節結構。光調節結構包括基底層、多個濾光部、填充部以及遮光圖案。多個濾光部位于基底層的一側。多個濾光部間隔設置。填充部位于多個濾光部之間的間隙內和多個濾光部整體的周圍。并且,填充部覆蓋至少一個濾光部遠離基底層一側表面的邊緣部分。遮光圖案位于填充部遠離基底層的一側。
在一些實施例中,填充部的光折射率小于濾光部的光折射率。濾光部包括入光面和第一傾斜面。入光面與基底層接觸。第一傾斜面的一端與入光面相連接,另一端向遠離入光面的方向延伸。第一傾斜面與入光面之間具有第一夾角,第一夾角為鈍角。
在一些實施例中,第一傾斜面在基底層上的正投影,落入遮光圖案在基底層上正投影的范圍內。
在一些實施例中,遮光圖案包括主體部和環形部。主體部具有多個第一開口。環形部位于第一開口內。環形部與主體部之間具有透光槽。環形部內形成有第二開口,第二開口暴露出濾光部。其中,第一傾斜面在基底層上的正投影的至少部分,位于主體部在基底層上的正投影和環形部在基底層上的正投影之間。
在一些實施例中,透光槽具有第一端口和第二端口,第二端口相對于第一端口更靠近基底層。第一端口的邊緣在基底層上的正投影圍設形成第一區域,第二端口的邊緣在基底層上的正投影落入第一區域內。
在一些實施例中,第二端口的邊緣在基底層上的正投影圍設形成第二區域,第一傾斜面在基底層上的正投影落入第二區域內。
在一些實施例中,濾光部還包括出光面,出光面與第一傾斜面遠離入光面的一端相連接。填充部包括第二傾斜面。第二傾斜面的一端與出光面接觸,另一端向遠離出光面的方向延伸,且向第一方向逐漸傾斜。其中,第一方向為遠離濾光部的中心線的方向,濾光部的中心線位于濾光部的中心,且垂直于出光面。
在一些實施例中,光調節結構還包括濾色膜。濾色膜位于基底層靠近遮光圖案的一側。濾色膜在基底層上的正投影,與遮光圖案在基底層上的正投影的至少部分重疊。
在一些實施例中,光調節結構還包括覆蓋層。覆蓋層位于多個濾光部、填充部和遮光圖案三者遠離基底層的一側。覆蓋層覆蓋多個濾光部、填充部和遮光圖案,且覆蓋層的光折射率大于或等于濾光部的光折射率。
另一方面,提供了一種光調節結構的制備方法。光調節結構的制備方法包括在基底層的一側形成多個濾光部。多個濾光部間隔設置。形成填充部。填充部位于多個濾光部之間的間隙內和多個濾光部整體的周圍。并且,填充部覆蓋至少一個濾光部遠離基底層一側表面的邊緣部分。形成遮光圖案。遮光圖案位于填充部遠離基底層一側的表面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





