[發(fā)明專利]一種雙極化雙陷波獨(dú)立可調(diào)的結(jié)構(gòu)式吸波器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210242359.4
• 申請(qǐng)日: 2022-03-11
• 公開（公告）號(hào): CN114976673B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林先其;郝新杰;姚堯;楊歆汨;陳哲;楊永穆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)長三角研究院（湖州）
• 主分類號(hào): H01Q17/00
• 分類號(hào): H01Q17/00
• 代理公司: 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401
• 代理人: 郭美

1.一種雙極化雙陷波獨(dú)立可調(diào)的結(jié)構(gòu)式吸波器，其特征在于：主要包括有三層結(jié)構(gòu)，由上到下依次是吸波結(jié)構(gòu)、空氣填充層和陷波結(jié)構(gòu)，所述吸波結(jié)構(gòu)位于結(jié)構(gòu)的頂部，包括介質(zhì)基板、位于介質(zhì)基板上層的金屬矩形貼片和電阻、位于介質(zhì)基板內(nèi)部的金屬化通孔、位于介質(zhì)基板下層的金屬領(lǐng)結(jié)型偶極子單元和電阻；所述空氣填充層位于結(jié)構(gòu)的中部，由空氣介質(zhì)構(gòu)成；所述陷波結(jié)構(gòu)位于結(jié)構(gòu)的底部，包括介質(zhì)基板、位于介質(zhì)基板上層的金屬方形雙環(huán)單元和L型寄生結(jié)構(gòu)、位于介質(zhì)基板下層的金屬地板，所述金屬領(lǐng)結(jié)型偶極子單元由四個(gè)完全一致的領(lǐng)結(jié)型金屬貼片組成，左右兩個(gè)領(lǐng)結(jié)型金屬貼片中間焊接電阻，上下兩個(gè)領(lǐng)結(jié)型金屬貼片中間斷開，與金屬化通孔相連，所述的金屬化通孔由十二根金屬化圓柱構(gòu)成，并且呈對(duì)稱分布，用以連接頂部介質(zhì)基板上層的金屬矩形貼片和下層的金屬領(lǐng)結(jié)型金屬貼片，所述的金屬矩形貼片，由兩個(gè)呈對(duì)稱分布的小金屬矩形貼片構(gòu)成，中間留有縫隙用以和電阻相連，小金屬矩形貼片分別和六根金屬化通孔相連，所述的金屬方形雙環(huán)單元由兩個(gè)嵌套的金屬方形環(huán)組成，內(nèi)部小金屬方環(huán)用以實(shí)現(xiàn)高頻陷波點(diǎn)，外部大金屬方環(huán)用以實(shí)現(xiàn)低頻陷波點(diǎn)。

2.如權(quán)利要求1所述的一種雙極化雙陷波獨(dú)立可調(diào)的結(jié)構(gòu)式吸波器，其特征在于：所述的L型寄生結(jié)構(gòu)，位于金屬方形雙環(huán)單元的周圍，通過和金屬方形雙環(huán)單元的耦合來實(shí)現(xiàn)高頻陷波點(diǎn)。

3.如權(quán)利要求2所述的一種雙極化雙陷波獨(dú)立可調(diào)的結(jié)構(gòu)式吸波器，其特征在于：所述金屬領(lǐng)結(jié)型偶極子單元、金屬方形雙環(huán)單元和L型寄生結(jié)構(gòu)均以各自的基板中心呈中心對(duì)稱。

4.如權(quán)利要求3所述的一種雙極化雙陷波獨(dú)立可調(diào)的結(jié)構(gòu)式吸波器，其特征在于：在所述金屬領(lǐng)結(jié)型偶極子單元內(nèi)部開U型槽，U型槽兩邊還有T型縫隙，用以調(diào)節(jié)低頻陷波點(diǎn)。

5.如權(quán)利要求1所述的一種雙極化雙陷波獨(dú)立可調(diào)的結(jié)構(gòu)式吸波器，其特征在于：所述的金屬地板尺寸為16mm*16mm；所述空氣填充層位于頂部和底部介質(zhì)基板的中間，厚度為3mm；所述L型寄生結(jié)構(gòu)和金屬方形雙環(huán)單元之間的距離為0.15mm，用以增加耦合量；所述金屬領(lǐng)結(jié)型偶極子單元邊緣進(jìn)行倒角處理，用以拓寬帶寬；所述介質(zhì)基板板材為TLY-5，介電常數(shù)為2.2，損耗角正切為0.0009，厚度為1.52mm。