[發(fā)明專利]一種利用光譜橢偏儀檢測(cè)超厚金屬膜的方法及裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210239151.7 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114720387A | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙樂;褚衛(wèi)國(guó);閆蘭琴;宋志偉;董鳳良;陳佩佩;田毅;胡海峰;徐麗華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 國(guó)家納米科學(xué)中心 |
| 主分類號(hào): | G01N21/21 | 分類號(hào): | G01N21/21;G01B11/06 |
| 代理公司: | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 王治東 |
| 地址: | 100190 北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 光譜 橢偏儀 檢測(cè) 金屬膜 方法 裝置 | ||
1.一種利用光譜橢偏儀檢測(cè)超厚金屬膜的方法,其特征在于,包括:
預(yù)先確定硅襯底、介質(zhì)膜以及金屬膜組成的第三體系,并利用光譜橢偏儀測(cè)量所述第三體系中金屬膜的橢偏參量;
根據(jù)所述第三體系中金屬膜的橢偏參量的特征峰出現(xiàn)的波長(zhǎng)位置選擇相應(yīng)的目標(biāo)波長(zhǎng)范圍;在所述目標(biāo)波長(zhǎng)范圍內(nèi),基于所述金屬膜的橢偏參量、所述介質(zhì)膜的光學(xué)常數(shù)和厚度數(shù)據(jù),確定所述金屬膜的光學(xué)常數(shù)和厚度數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用光譜橢偏儀檢測(cè)超厚金屬膜的方法,其特征在于,所述預(yù)先確定硅襯底、介質(zhì)膜以及金屬膜組成的第三體系,具體包括:
預(yù)先構(gòu)建硅襯底組成的第一體系;
在所述第一體系上制備介質(zhì)膜,以實(shí)現(xiàn)構(gòu)建所述硅襯底和所述介質(zhì)膜組成的第二體系,并利用所述光譜橢偏儀測(cè)量所述第二體系中介質(zhì)膜的橢偏參量;根據(jù)所述介質(zhì)膜的橢偏參量,確定所述介質(zhì)膜的光學(xué)常數(shù)和厚度數(shù)據(jù);
在所述第二體系上制備金屬膜,以實(shí)現(xiàn)構(gòu)建所述硅襯底、所述介質(zhì)膜以及所述金屬膜組成的第三體系;其中,所述金屬膜為厚度大于或等于100nm的金屬膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用光譜橢偏儀檢測(cè)超厚金屬膜的方法,其特征在于,在利用所述光譜橢偏儀測(cè)量所述第三體系中金屬膜的橢偏參量過程中,確定所述光譜橢偏儀的入射光的波長(zhǎng)范圍參數(shù)為1500nm~10000nm以及所述入射光的入射角參數(shù)為55°~70°。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用光譜橢偏儀檢測(cè)超厚金屬膜的方法,其特征在于,所述根據(jù)所述介質(zhì)膜的橢偏參量,確定所述介質(zhì)膜的光學(xué)常數(shù)和厚度數(shù)據(jù),具體包括:
確定所述第一體系對(duì)應(yīng)的第一橢偏擬合模型,在所述第一橢偏擬合模型的基礎(chǔ)上構(gòu)建所述第二體系對(duì)應(yīng)的第二橢偏擬合模型,利用所述第二橢偏擬合模型對(duì)所述第二體系中介質(zhì)膜的橢偏參量進(jìn)行擬合,得到并記錄所述介質(zhì)膜的光學(xué)常數(shù)和厚度數(shù)據(jù);
所述在所述目標(biāo)波長(zhǎng)范圍內(nèi),基于所述金屬膜的橢偏參量、所述介質(zhì)膜的光學(xué)常數(shù)和厚度數(shù)據(jù),確定所述金屬膜的光學(xué)常數(shù)和厚度數(shù)據(jù),具體包括:
確定所述第三體系對(duì)應(yīng)的第三橢偏擬合模型,在所述目標(biāo)波長(zhǎng)范圍內(nèi),利用所述第三橢偏擬合模型對(duì)所述第三體系中金屬膜的橢偏參量進(jìn)行擬合,得到所述金屬膜的光學(xué)常數(shù)和厚度數(shù)據(jù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的利用光譜橢偏儀檢測(cè)超厚金屬膜的方法,其特征在于,所述在所述目標(biāo)波長(zhǎng)范圍內(nèi),利用所述第三橢偏擬合模型對(duì)所述第三體系中金屬膜的橢偏參量進(jìn)行擬合,得到所述金屬膜的光學(xué)常數(shù)和厚度數(shù)據(jù),具體包括:
預(yù)先對(duì)所述第二橢偏擬合模型中的介質(zhì)膜層進(jìn)行擬合,得到所述介質(zhì)膜層的第一厚度數(shù)據(jù)和所述介質(zhì)膜層的第一擬合結(jié)果;
確定所述介質(zhì)膜層的第一厚度數(shù)據(jù)和所述介質(zhì)膜層的第一擬合結(jié)果,并在測(cè)試波長(zhǎng)范圍內(nèi)對(duì)所述第三橢偏擬合模型中的混合層以及空氣粗糙層進(jìn)行第一次擬合,輸出所述混合層的第一厚度數(shù)據(jù)和所述混合層的第一擬合結(jié)果以及所述空氣粗糙層的第一厚度數(shù)據(jù);
確定所述介質(zhì)膜層的第一擬合結(jié)果,基于所述混合層的第一厚度數(shù)據(jù)和所述混合層的第一擬合結(jié)果以及確定的所述介質(zhì)膜層的第一厚度數(shù)據(jù),在所述測(cè)試波長(zhǎng)范圍內(nèi)對(duì)所述第三橢偏擬合模型中的所述混合層、所述空氣粗糙層以及所述介質(zhì)膜層的厚度數(shù)據(jù)進(jìn)行第二次擬合,輸出所述混合層的第二厚度數(shù)據(jù)、所述空氣粗糙層的第二厚度數(shù)據(jù)、所述介質(zhì)膜層的第二厚度數(shù)據(jù)以及所述混合層的第二擬合結(jié)果;
根據(jù)所述混合層的第二擬合結(jié)果,在所述測(cè)試波長(zhǎng)范圍內(nèi)確定滿足預(yù)設(shè)擬合度條件所對(duì)應(yīng)的目標(biāo)波長(zhǎng)范圍;基于所述混合層的第二擬合結(jié)果、所述介質(zhì)膜層的第二厚度數(shù)據(jù)、所述混合層的第二厚度數(shù)據(jù)、所述空氣粗糙層的第二厚度數(shù)據(jù)以及所述介質(zhì)膜層的所述第一擬合結(jié)果,在所述目標(biāo)波長(zhǎng)范圍內(nèi)對(duì)所述第三橢偏擬合模型中的所述混合層、所述空氣粗糙層以及所述介質(zhì)膜層進(jìn)行第三次擬合,得到所述混合層的第三厚度數(shù)據(jù)和所述混合層的第三擬合結(jié)果、所述空氣粗糙層的第三厚度數(shù)據(jù)以及所述介質(zhì)膜層的第三厚度數(shù)據(jù)和所述介質(zhì)膜層的第二擬合結(jié)果;
根據(jù)所述介質(zhì)膜層的第三厚度數(shù)據(jù)和所述介質(zhì)膜層的第二擬合結(jié)果,確定介質(zhì)膜的厚度數(shù)據(jù)和光學(xué)常數(shù);并根據(jù)所述混合層的第三厚度數(shù)據(jù)和所述混合層的第三擬合結(jié)果、所述空氣粗糙層的第三厚度數(shù)據(jù),獲得金屬膜的厚度數(shù)據(jù)和光學(xué)常數(shù)。
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- 同類專利
- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
- 一種使用實(shí)時(shí)系統(tǒng)控制橢偏儀的控制方法及實(shí)時(shí)系統(tǒng)
- 一種橢偏儀系統(tǒng)參數(shù)的優(yōu)化方法
- 一種旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器型橢偏儀的系統(tǒng)誤差評(píng)估及消除方法
- 一種基于橢偏儀的微流控原位液體環(huán)境測(cè)量系統(tǒng)
- 一種光譜型橢偏儀橢偏角的校準(zhǔn)方法
- 校準(zhǔn)橢偏儀的膜厚樣片、檢驗(yàn)樣片及其檢驗(yàn)方法
- 校準(zhǔn)橢偏儀的膜厚樣片及其檢驗(yàn)樣片
- 一種單旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器型橢偏儀隨機(jī)誤差評(píng)估方法
- 基于光譜型橢偏儀的線寬標(biāo)準(zhǔn)樣片量值確定方法
- 一種橢偏儀優(yōu)化校準(zhǔn)方法
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
- 檢測(cè)方法、檢測(cè)裝置和檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法以及記錄介質(zhì)
- 檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)組件、檢測(cè)裝置以及檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法及檢測(cè)程序
- 檢測(cè)電路、檢測(cè)裝置及檢測(cè)系統(tǒng)





