[發明專利]一種以Y2

有效

• 申請號: 202210238012.2
• 申請日: 2022-03-11
• 公開（公告）號: CN114573347B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發明（設計）人: 魏漢軍;陽申全;余亞蘋;趙峰;王清遠
• 申請（專利權）人: 成都大學
• 主分類號: C04B35/505
• 分類號: C04B35/505;C04B35/16;C04B35/14;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/628;C04B35/66;C04B38/00
• 代理公司: 天津煜博知識產權代理事務所(普通合伙) 12246
• 代理人: 朱維

本發明涉及一種以Y₂Si₂O₇為基體的SiO₂/SiC基微波吸收陶瓷的制備方法，屬于微波吸收材料技術領域。本發明將Si(C₂H₅)₄溶解于乙醇中得到溶液A，Y(NO₃)₃·6H₂O攪拌溶解于去離子水中得到溶液B；室溫下，溶液A和溶液B攪拌混合得到凝膠C，凝膠C干燥得到干凝膠，干凝膠研磨成凝膠粉，凝膠粉進行冷壓成型后置于溫度為1400～1500℃的空氣中燒結熱處理2～3h，得到Y₂Si₂O₇粉末；Y₂Si₂O₇粉末采用碳化硅化學氣相滲透技術沉積，得到SiC?Y₂Si₂O₇復合陶瓷，SiC?Y₂Si₂O₇復合陶瓷經溫度為1100～1200℃下氧化2～3h，得到SiO₂/SiC?Y₂Si₂O₇復合陶瓷。本發明復相陶瓷的電磁波吸收性能的可控性調節。

技術領域

本發明涉及一種以Y₂Si₂O₇為基體的SiO₂/SiC基微波吸收陶瓷的制備方法，屬于微波吸收材料技術領域。

背景技術

目前，智能電子設備和通信技術的推廣和應用導致了電磁干擾和電磁波輻射問題的日益突出，嚴重威脅著信息安全和人類健康。此外，由于雷達跟蹤系統的不斷創新，傳統戰斗武器的生存也面臨著巨大的威脅。因此，對電磁波屏蔽和電磁波吸收材料的研究可以緩解這些污染問題，提高武器的生存能力。

電磁波吸收材料應滿足以下要求：首先材料的特性阻抗應盡可能接近自由空間阻抗，其次可以盡可能地衰減入射電磁波。為滿足上述要求，非磁性電磁波吸收材料的相對復介電常數應達到適中的值。Y₂Si₂O₇基復合陶瓷的電磁波吸收性能和微波吸收機理尚未見報道，這可能為開發具有高溫電磁吸收性能的新型材料提供了參考方向。

因此，迫切需要開發一種具有較低介電常數的新型材料作為電磁波吸收材料的基體。

發明內容

本發明的目的是提出一種以Y₂Si₂O₇為基體的SiO₂/SiC基微波吸收陶瓷的制備方法，利用碳化硅作為損耗介質來實現微波衰減，利用二氧化硅作為絕緣穿透層來增強阻抗匹配特性，將Y₂Si₂O₇顆粒在1400～1500℃下燒結形成珊瑚結構，形成多孔結構，有利于碳化硅在陶瓷孔隙和表面的沉積；采用化學氣相滲透技術，在Y₂Si₂O₇粒子上沉積碳化硅，Y₂Si₂O₇粒子通過碳化硅導電層形成了一個連續的結構，多個SiC-Y₂Si₂O₇顆粒通過二氧化硅絕緣層連接在一起，擴大整體陶瓷顆粒，形成花椰菜狀結構。此外，許多較小的孔隙轉化為微米級的孔隙，在SiO₂/SiC-Y₂Si₂O₇復合陶瓷中形成裂紋。故，SiO₂/SiC-Y₂Si₂O₇復合陶瓷中的花椰菜狀結構有利于增強電磁特性，包括阻抗匹配特性、電磁波反射和散射。