[發明專利]一種一維光探測陣列組合

在審

• 申請號: 202210237931.8
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN114744008A
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 黃飛;鐘知鳴;楊喜業
• 申請（專利權）人: 廣州光達創新科技有限公司
• 主分類號: H01L27/30
• 分類號: H01L27/30;H01L51/42
• 代理公司: 深圳叁眾知識產權代理事務所(普通合伙) 44434
• 代理人: 李國強

1.一種一維光探測陣列組合，其特征在于，所述一維光探測陣列組合為n×m的陣列組合，其中，

n為一維光探測陣列的個數，所述一維光探測陣列彼此平行設置；

m為每個一維光探測陣列中像素的個數；

任意像素Pix_xy中均對應地含有半導體器件Sem_xy；

任意半導體器件Sem_xy中均對應地含有光敏層AL_xy；

并且

所述任意一個光敏層AL_xy均滿足以下條件：

(1)源于同一個一維光探測陣列中的任意兩個光敏層AL_x1y1和AL_x1y2，具有相同的半導體器件結構和相同的光敏層結構；

(2)源于不同的一維光探測陣列中的任意兩個光敏層AL_x1y1和AL_x2y2，具有不同的半導體器件結構，或者具有不同的光敏層結構；

其中，所述具有不同的光敏層結構的任意兩個光敏層AL_x1y1和AL_x2y2，應滿足如下條件：

AL_x1y1和AL_x2y2的外量子效率響應光譜的差譜中，存在一個或多個差值響應峰/差值響應谷△EQE₁～△EQE_m，

其中，在所述△EQE₁～△EQE_m中，僅存在一個差值響應峰△EQE_max或差值響應谷△EQE_min，且|△EQE_max|和|△EQE_min|中的較大值，是|△EQE₁|～|△EQE_m|中的最大值；且

所述|△EQE_max|和|△EQE_min|中的較大值≥10％；且

除|△EQE_max|和|△EQE_min|中的較大值外的|△EQE₁|～|△EQE_m|中的其他值，均小于所述|△EQE_max|和|△EQE_min|中的較大值的50％。

2.根據權利要求1所述一維光探測陣列組合，其特征在于，所述半導體器件獨立地含有電子傳輸層、空穴傳輸層的一種或多種。

3.根據權利要求1所述一維光探測陣列組合，其特征在于，源于同一個一維光探測陣列中的像素具有相同的尺寸和形狀。

4.根據權利要求1所述一維光探測陣列組合，其特征在于，源于同一個一維光探測陣列中的像素中，任意相鄰的兩個像素之間的間距相等。

5.根據權利要求1所述一維光探測陣列組合，其特征在于，所述任意光敏層AL_xy的外量子效率響應光譜中的響應帶邊為300-2000nm。

6.根據權利要求1所述一維光探測陣列組合，其特征在于，所述任意一個光敏層AL_xy，給體材料選自基于特定單元1的P型有機半導體，受體材料選自基于特定單元2的N型有機半導體；其中，所述特定單元1選自下列結構的一種或多種：

所述特定單元2選自下列結構的一種或多種：

其中，所述R₁-R₆，獨立地選自碳原子數為1-40的烷基，或者碳原子數為1-40的烷基衍生物；

所述烷基衍生物上的一個或多個碳原子，被氫原子、氧原子、烯基、炔基、芳基、羥基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基、硝基的一種或多種所取代；

和/或，

所述烷基衍生物上的一個或多個氫原子，被氟原子、氯原子、溴原子、碘原子的一種或多種取代；

所述X₁-X₆，獨立地選自氫原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基的一種或多種。