[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210237922.9
• 申請(qǐng)日: 2022-03-11
• 公開（公告）號(hào): CN114823529A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘冠廷;江國誠;王培宇;鍾政庭;王志豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃

本公開提出一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包含多個(gè)半導(dǎo)體層及與半導(dǎo)體層接觸的第一源極/漏極外延部件。第一源極/漏極外延部件包含底部，底部具有實(shí)質(zhì)上直的側(cè)壁。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)還包含間隔物，間隔物具有柵極間隔物部分及一或多個(gè)源極/漏極間隔物部分。每個(gè)源極/漏極間隔物部分具有第一高度，而一或多個(gè)源極/漏極間隔物部分中的一個(gè)與第一源極/漏極外延部件的實(shí)質(zhì)上直的側(cè)壁中的一個(gè)接觸。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)還包含介電部件，介電部件與一或多個(gè)源極/漏極間隔物部分中的一個(gè)相鄰設(shè)置。介電部件具有第二高度，第二高度實(shí)質(zhì)上大于第一高度。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種包含間隔物的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，間隔物具有柵極間隔物部分和源極/漏極間隔物部分。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(integrated circuit,IC)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)歷了指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)。集成電路材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生幾世代的集成電路，其中每一世代都比先前世代具有更小、更復(fù)雜的電路。在集成電路發(fā)展過程中，功能密度(即，每個(gè)芯片面積的內(nèi)連接裝置數(shù)量)普遍增加，而幾何尺寸(即，可以使用制造程序創(chuàng)建的最小構(gòu)件(或線路))已減少。這種按比例縮小的工藝(scaling down process)通常通過提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本提供了益處。這種按比例縮小的工藝也增加處理和制造集成電路的復(fù)雜性。

因此，需要改進(jìn)集成電路的處理和制造。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一實(shí)施例為一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包含多個(gè)半導(dǎo)體層及第一源極/漏極外延部件，第一源極/漏極外延部件與多個(gè)半導(dǎo)體層接觸。第一源極/漏極外延部件包含底部，底部具有實(shí)質(zhì)上直的側(cè)壁。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)還包含間隔物，間隔物具有柵極間隔物部分及一或多個(gè)源極/漏極間隔物部分。每個(gè)源極/漏極間隔物部分具有第一高度，而一或多個(gè)源極/漏極間隔物部分中的一個(gè)源極/漏極間隔物部分與第一源極/漏極外延部件的實(shí)質(zhì)上直的側(cè)壁中的一個(gè)接觸。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)還包含介電部件，介電部件與一或多個(gè)源極/漏極間隔物部分中的一個(gè)源極/漏極間隔物相鄰設(shè)置。介電部件具有第二高度，第二高度實(shí)質(zhì)上大于第一高度。

本公開的另一實(shí)施例為一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包含多個(gè)半導(dǎo)體層、圍繞每個(gè)半導(dǎo)體層的至少一部分的柵極層及柵極介電層。柵極層設(shè)置于柵極介電層之上，且柵極介電層的底部與多個(gè)半導(dǎo)體層中的最頂?shù)陌雽?dǎo)體層的頂部之間具有一距離。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)還包含間隔物，間隔物包含柵極間隔物部分及一或多個(gè)源極/漏極間隔物部分，每個(gè)源極/漏極間隔物部分具有第一高度，且第一高度是此距離的約20％至約75％。

本公開的又一實(shí)施例為一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法包含形成鰭片、氧化層及半導(dǎo)體層，鰭片包含半導(dǎo)體層堆疊，氧化層設(shè)置于半導(dǎo)體層堆疊之上，而半導(dǎo)體層設(shè)置于氧化層之上。半導(dǎo)體層堆疊具有第一高度。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法還包含圍繞鰭片形成披覆層，在披覆層的一部分與半導(dǎo)體層的一部分的上方形成犧牲柵極堆疊，將批覆層暴露的部分移除以形成開口，在犧牲柵極堆疊的側(cè)壁上與開口中形成間隔物，將半導(dǎo)體層暴露的部分移除以暴露氧化層的一部分，將氧化層暴露的部分與半導(dǎo)體層堆疊在氧化層暴露的部分之下的一部分移除以暴露基板部分，以及在暴露的基板部分之上形成源極/漏極外延部件。

附圖說明

根據(jù)以下的詳細(xì)說明并配合所附附圖做完整公開。應(yīng)注意的是，根據(jù)本產(chǎn)業(yè)的一般作業(yè)，各種部件并未必按照比例繪制。事實(shí)上，可能任意的放大或縮小各種部件的尺寸，以做清楚的說明。

圖1是根據(jù)一些實(shí)施例制造半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的各個(gè)階段之一的透視圖。

圖2至圖9是根據(jù)一些實(shí)施例沿著圖1的線A-A所切制造半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的各個(gè)階段的剖面?zhèn)纫晥D。

圖10A至圖14A是根據(jù)一些實(shí)施例制造半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的各個(gè)階段的透視圖。

圖10B至圖14B是根據(jù)一些實(shí)施例沿圖9的線B-B所切的制造半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的各個(gè)階段的剖面?zhèn)纫晥D。