[發明專利]半導體封裝體

在審

• 申請號: 202210231331.0
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN114823623A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 楊士億;李明翰;眭曉林
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/535;H01L23/31;H01L25/065
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃

本公開實施例提供具有邊緣內連線特征的集成電路裸片。邊緣內連線特征可為延伸通過的密封環的導線，且顯露于集成電路裸片的邊緣表面上。邊緣內連線特征是配置以連接其他集成電路裸片，而不需通過中介層。半導體裝置可包括兩個以上具有邊緣內連線特征的集成電路裸片，通過形成于兩個以上集成電路裸片之間的重分布結構連接。

技術領域

本公開實施例涉及一種半導體封裝體，尤其涉及一種具有邊緣內連線特征的半導體封裝體。

背景技術

半導體產業通過不斷縮小最小特征尺寸，允許將更多元件(即更多功能)整合到給定的區域以形成集成電路裸片，借以不斷提高各種電子元件(例如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度。每個集成電路裸片可包括許多輸入/輸出墊以與要和集成電路裸片一起封裝的其他元件互連。中介層通常用于在半導體封裝體中的兩個或多個集成電路裸片之間提供輸入/輸出。然而，因集成密度增加，僅通過中介層來連接集成電路裸片可能變得具有挑戰性。

發明內容

本公開實施例提供一種半導體封裝體，包括：具有第一邊緣內連線特征的第一集成電路裸片以及包括第二邊緣內連線特征的第二集成電路裸片，其中第一集成電路裸片和第二集成電路裸片是以并列的方式設置。半導體封裝體亦包括形成在第一集成電路裸片和第二集成電路裸片之間的芯片間重分布結構，其中芯片間重分布結構包括與第一邊緣內連線特征接觸的第一導電特征，以及與第二邊緣內連線特征接觸的第二導電特征。

本公開實施例提供一種半導體封裝體，包括：基底、附接到基底的第一集成電路裸片、附接到鄰接于第一集成電路裸片的基底的第二集成電路裸片、以及形成在第一集成電路裸片和第二集成電路裸片之間的重分布結構。重分布結構包括從第一集成電路裸片延伸的一或多個第一導電特征，以及從第二集成電路裸片延伸的一或多個第二導電特征。

本公開實施例提供一種半導體裝置的制造方法，包括：形成具有第一邊緣內連線特征的第一集成電路裸片，其中第一邊緣內連線特征顯露于第一集成電路裸片的第一切割表面上。此方法亦包括形成具有第二邊緣內連線特征的第二集成電路裸片，其中第二邊緣內連線特征顯露于第二集成電路裸片上的第二切割表面上。此方法還包括將第一集成電路裸片和第二集成電路裸片彼此相鄰地定位，使得第一切割表面面向第二切割表面，以及在第一切割表面和第二切割表面之間形成重分布結構。重分布結構包括與第一邊緣內連線特征和第二邊緣內連線特征電性連接的兩個或以上的導電特征。

附圖說明

根據以下的詳細說明并配合所附附圖以更好地了解本公開實施例的概念。應注意的是，根據本產業的標準慣例，附圖中的各種部件未必按照比例繪制。事實上，可能任意地放大或縮小各種部件的尺寸，以做清楚的說明。在通篇說明書及附圖中以相似的標號標示相似的特征。

圖1A至圖1L示意性地示出根據本公開實施例的具有邊緣內連線特征的集成電路裸片。

圖2、圖3A至圖3E、圖4A至圖4B、圖5A至圖5E、圖6A至圖6B、圖7A至圖7B、圖8和圖9示意性地示出根據本公開實施例的制造半導體封裝體的不同階段。

附圖標記如下：

10,10a,10b,10c:基底

12:切割線

12w:切割線寬度(寬度)

100,100a,100b,200a,200b,200c:集成電路裸片

102,202a,202b,202c:切割表面

104,104a:電路區域

106,106a:密封區域

106s:側面

106w:線寬

106d:線深