[發明專利]聲表面波諧振器及其制造方法、以及聲表面波濾波器

在審

• 申請號: 202210230145.5
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN114584101A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 許欣
• 申請（專利權）人: 廣東廣納芯科技有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/25;H03H9/64;H03H3/10;H03H9/145
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 俞丹

1.一種聲表面波諧振器，其特征在于，包括：

復合壓電襯底，該復合壓電襯底具有：LGS基底層，該LGS基底層由單晶LGS形成，及形成在所述LGS基底層之上的GaN壓電層，該GaN壓電層的厚度不超過在所述聲表面波諧振器中傳播的聲波波長的20倍；以及

形成在所述GaN壓電層上的叉指電極。

2.如權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，

所述LGS基底層在聲波傳播方向歐拉角(0°,138.5°,26.5°)下具有0溫度系數。

3.如權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，

所述GaN壓電層是外延生長在所述LGS基底層上的外延單晶薄膜。

4.如權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，

所述GaN壓電層通過MOCVD、MBE、HVPE中的任一種方式形成在所述LGS基底層上。

5.如權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，

在所述GaN壓電層與所述LGS基底層之間還形成有用于制備所述GaN壓電層的種子層，且該種子層的厚度在以內。

6.如權利要求5所述的聲表面波諧振器，其特征在于，

所述種子層為AlN。

7.如權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，

所述叉指電極由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd中的任一種金屬、或它們的合金、或它們的層疊體構成。

8.如權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，

還包括形成于所述叉指電極表面的保護層。

9.如權利要求8所述的聲表面波諧振器，其特征在于，

所述保護層由SiO₂、Si₃N₄、SiFO、SiOC中的任一種形成。

10.一種制造聲表面波諧振器的方法，其特征在于，包括：

準備LGS基底層，該LGS基底層由單晶LGS形成；

在所述LGS基底層之上形成GaN壓電層從而得到復合壓電襯底，該GaN壓電層的厚度不超過在聲表面波諧振器中傳播的聲波波長的20倍；以及

在所述GaN壓電層上形成叉指電極。

11.如權利要求10所述的制造聲表面波諧振器的方法，其特征在于，

所述GaN壓電層是外延生長在所述LGS基底層上的外延單晶薄膜。

12.如權利要求10所述的制造聲表面波諧振器的方法，其特征在于，

所述GaN壓電層通過MOCVD、MBE、HVPE中的任一種方式形成在所述LGS基底層上。

13.如權利要求10所述的制造聲表面波諧振器的方法，其特征在于，

還包括在所述GaN壓電層上形成種子層的步驟，在所述種子層上制備所述GaN壓電層，且該種子層的厚度在以內。

14.如權利要求13所述的制造聲表面波諧振器的方法，其特征在于，

所述種子層為AlN。

15.如權利要求10所述的制造聲表面波諧振器的方法，其特征在于，

所述叉指電極通過在所述GaN壓電層上直接形成圖形化的電極來制備。

16.如權利要求10所述的制造聲表面波諧振器的方法，其特征在于，

所述叉指電極可以通過對所述GaN壓電層進行圖形化加工后填充電極材料來制備。

17.一種聲表面波濾波器，其特征在于，

包括至少一個所述聲表面波諧振器、以及連接至少一個所述聲表面波諧振器的引線。