[發明專利]半導體封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202210229757.2
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN115148697A
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 許飛
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 楊思雨

1.一種半導體封裝結構，其中，包括：

半導體芯片，所述半導體芯片的第一表面具有至少一個焊盤；

至少一個導電柱，分別形成于所述至少一個焊盤上，且所述至少一個導電柱中每個導電柱的頂部均設置有焊料層；

封裝載體，通過所述至少一個導電柱及位于每個導電柱頂部的所述焊料層與所述半導體芯片電連接；

塑封體，用于封裝所述半導體芯片、所述至少一個導電柱和所述封裝載體，

其中，所述封裝載體面向所述半導體芯片的表面上選擇性的設置有至少一個金屬鍍點，且當所述半導體芯片與所述封裝載體電連接時，所述至少一個導電柱通過位于每個導電柱頂部的所述焊料層與所述至少一個金屬鍍點一一對應連接。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中，所述至少一個金屬鍍點的表面的粗糙度小于所述封裝載體的表面的粗糙度。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中，所述至少一個金屬鍍點被配置為采用化學電鍍的方式形成于所述封裝載體上。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中，當所述至少一個導電柱與所述至少一個金屬鍍點對應連接時，所述至少一個金屬鍍點中的每個金屬鍍點均位于對應導電柱的正下方。

5.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其中，所述封裝載體包括銅層和基底，所述至少一個金屬鍍點被配置為采用化學電鍍的方式形成于所述銅層表面。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝結構，其中，所述銅層的表面上具有經粗化處理后形成的微結構。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中，所述至少一個金屬鍍點中每個金屬鍍點的形成材料均包括銅、銀、鎳、鈀、金中的至少一種。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中，所述至少一個金屬鍍點中每個金屬鍍點的橫截面尺寸均大于對應的導電柱的橫截面尺寸。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝結構，其中，所述至少一個金屬鍍點中的任意兩個金屬鍍點之間均彼此間隔預定距離。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其中，所述封裝載體包括引線框架和封裝基板中的任一。

11.一種半導體封裝結構的制造方法，其中，包括：

提供封裝載體；

在所述封裝載體的上表面選擇性的設置至少一個金屬鍍點；

將半導體芯片置于所述封裝載體的上表面，并將所述導體芯片上的至少一個導電柱與所述至少一個金屬鍍點一一對應連接，以實現所述半導體芯片與所述封裝載體的電連接；

對所述封裝載體和所述半導體芯片進行封裝，以形成封裝結構。

12.根據權利要求11所述的制造方法，其中，所述至少一個金屬鍍點的表面的粗糙度小于所述封裝載體的表面的粗糙度。

13.根據權利要求11所述的制造方法，其中，在所述封裝載體的上表面選擇性的設置至少一個金屬鍍點包括：

采用化學電鍍的方式于所述封裝載體中的銅層表面形成對應所述至少一個導電柱的至少一個金屬鍍點，

其中，在形成每個金屬鍍點時均包括：采用化學電鍍的方式于所述封裝載體的上表面形成銀層或者依次形成鎳層、鈀層和金層。

14.根據權利要求13所述的制造方法，其中，所述制造方法還包括：對所述封裝載體中的銅層表面進行粗化處理。