[發明專利]一種側壁光滑且陡直的薄膜光子芯片制備方法在審
| 申請號： | 202210227112.5 | 申請日： | 2022-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN114815059A | 公開（公告）日： | 2022-07-29 |
| 發明（設計）人： | 王鵬 | 申請（專利權）人： | 嘉興微智光子科技有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/13 | 分類號： | G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京清控智云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 管士濤 |
| 地址： | 314199 浙江省嘉興市嘉善*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 側壁 光滑 陡直 薄膜 光子 芯片 制備 方法 | ||
1.一種薄膜光子芯片制備方法，其特征在于：包括在待加工光子芯片結構的薄膜層(32)上依次沉積第一掩模層(33)、第二掩模層(34)的步驟，其通過飛秒激光直寫加工技術、化學機械拋光刻蝕技術與干法刻蝕技術相結合的方法以同時提升制備效率以及所制備光子芯片的側壁的光滑度和陡直度。
2.根據權利要求1所述的薄膜光子芯片制備方法，其特征在于，第一掩模層(33)相對薄膜層(32)具有較低的干法刻蝕比，第二掩模層(34)相對第一掩模層(33)具有較高的硬度。
3.根據權利要求1或2所述的薄膜光子芯片制備方法，其特征在于，所述飛秒激光直寫加工技術、化學機械拋光刻蝕技術與干法刻蝕技術相結合的方法具體包括如下步驟：
1)利用飛秒激光直寫加工方法在第二掩模層(34)形成待加工光子芯片結構的圖案；
2)利用化學機械拋光刻蝕將所述圖案轉移到第一掩模層(33)；
3)利用干法刻蝕將第一掩模層(33)圖案轉移到薄膜層(32)。
4.根據權利要求4所述的薄膜光子芯片制備方法，其特征在于，還包括利用化學腐蝕去除第一掩模層(33)、第二掩模層(34)，形成光子芯片結構的步驟。
5.根據權利要求1-4任一項所述的薄膜光子芯片制備方法，其特征在于，所述干法刻蝕為離子束刻蝕、反應離子刻蝕或電感耦合等離子體刻蝕。
6.根據權利要求1-5任一項所述的薄膜光子芯片制備方法，其特征在于，所述化學機械拋光刻蝕采用金絲絨拋光墊和二氧化硅懸浮液。
7.根據權利要求1-6任一項所述的薄膜光子芯片制備方法，其特征在于，所述飛秒激光直寫加工所采用的飛秒激光脈寬為180fs、重復頻率為100kHz、中心波長為1030nm、平均功率為4mW。
8.根據權利要求1-7任一項所述的薄膜光子芯片制備方法，其特征在于，所述薄膜層(32)為LiNiO3薄膜；第一掩模層(33)為金屬鎳膜；第二掩模層(34)為金屬鉻膜。
9.一種光子芯片結構，其特征在于，由權利要求1-8任一項所述的薄膜光子芯片制備方法進行加工。
10.一種波導、耦合結構、集成芯片的任一組合，其特征在于，包括權利要求9所述的光子芯片結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于嘉興微智光子科技有限公司，未經嘉興微智光子科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210227112.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
