[發明專利]降低半導體襯底晶片表面顆粒的清洗方法在審
| 申請號： | 202210224877.3 | 申請日： | 2022-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN114613697A | 公開（公告）日： | 2022-06-10 |
| 發明（設計）人： | 王世鋒;楊超;張建平;王澤華 | 申請（專利權）人： | 青島浩瀚全材半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;B08B3/12;B08B3/08;F26B21/00 |
| 代理公司： | 天津盈佳知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12224 | 代理人： | 安娜 |
| 地址： | 266300 山東省青島市膠州九龍街*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 半導體 襯底 晶片 表面 顆粒 清洗 方法 | ||
1.降低半導體襯底晶片表面顆粒的清洗方法，其特征在于，包括如下步驟：
對半導體襯底晶片進行超聲波清洗，其中超聲波清洗包括依次進行的超聲波去蠟清洗、超聲波去離子水清洗；所述超聲波去蠟清洗時的超聲波頻率為25KHz；所述超聲波去離子水清洗時依次采用頻率為40KHz、80KHz、120KHz的順便進行清洗；
對超聲波清洗后的半導體襯底晶片進行化學試劑清洗，其中，化學試劑采用硫酸；
對化學試劑清洗后的半導體襯底晶片進行兆聲波清洗，兆聲波清洗時的頻率為0.9MHz～1.2MHz。
2.根據權利要求1所述降低半導體襯底晶片表面顆粒的清洗方法，其特征在于，所述化學試劑清洗包括以下步驟：
將半導體襯底晶片置于溫度為50℃-80℃的硫酸中腐蝕30s-60s，去除晶片表面的有機雜質和金屬雜質；
將半導體襯底晶片置于溫度為20℃-30℃硫酸中腐蝕60s-120s，進一步去除晶片表面的金屬雜質。
3.根據權利要求1所述降低半導體襯底晶片表面顆粒的清洗方法，其特征在于，所述兆聲波清洗包括以下步驟：
將半導體襯底晶片經過去離子水兆聲波清洗2-5min，兆聲波頻率為0.9MHz-1.2MHz，去除晶片表面粒徑小于0.5μm的顆粒；
將半導體襯底晶片甩干或吹干。
4.根據權利要求1所述降低半導體襯底晶片表面顆粒的清洗方法，其特征在于，所述超聲波去蠟清洗包括以下步驟：
將經過拋光的半導體襯底晶片置于溫度為60℃～80℃的去蠟劑中，超聲波清洗5-10min，超聲波頻率為25KHz；
然后再將超聲波清洗后的半導體襯底晶片置于20℃～30℃的無水乙醇中，超聲波清洗3-5min，超聲波頻率為25KHz。
5.根據權利要求1所述降低半導體襯底晶片表面顆粒的清洗方法，其特征在于，所述超聲波去離子水清洗包括以下步驟：
將經過超聲波去蠟清洗后的半導體襯底晶片置于去離子水中，超聲波清洗3-5min，超聲波頻率為40KHz，去離子水溫度20℃-30℃，去除晶片表面粒徑為2～50μm的顆粒；
將經過超聲波去離子水清洗后的半導體襯底再次進行去離子水清洗，超聲波頻率為80KHz，去除晶片表面粒徑為1～5μm的顆粒；
將經過超聲波去離子水清洗后的半導體襯底再次進行去離子水清洗，超聲波頻率為120KHz，去除晶片表面粒徑為0.5～3μm的顆粒。
6.根據權利要求4所述降低半導體襯底晶片表面顆粒的清洗方法，其特征在于：所述去蠟劑為中性有機去蠟劑，pH值7.0-8.0。
7.根據權利要求3所述降低半導體襯底晶片表面顆粒的清洗方法，其特征在于：所述兆聲波清洗時為單片清洗，去離子水溫度為20℃～30℃，水流量為0.9-1.5L/min。
8.根據權利要求1所述降低半導體襯底晶片表面顆粒的清洗方法，其特征在于：所述半導體襯底晶片為砷化鎵半導體襯底晶片或磷化銦半導體襯底晶片。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
