[發(fā)明專利]等離子體處理裝置和等離子體處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210222843.0
• 申請日: 2022-03-07
• 公開（公告）號: CN115116814A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭和俊;大秦充敬;保坂勇貴;鄭完崧
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置和等離子體處理方法。本發(fā)明的等離子體處理裝置包括：等離子體處理腔室；配置在等離子體處理腔室內(nèi)的基片支承部；環(huán)狀擋板，其以包圍基片支承部的方式配置，且具有多個開口；第一環(huán)狀板，其配置在環(huán)狀擋板的下方；第二環(huán)狀板，其配置在第一環(huán)狀板的下方，具有環(huán)狀重疊部分，環(huán)狀重疊部分與第一環(huán)狀板的一部分在縱向上重疊；壓力檢測器，其構(gòu)成為能夠檢測等離子體處理腔室內(nèi)的壓力；和至少1個致動器，其構(gòu)成為能夠基于檢測出的壓力來使第一環(huán)狀板和第二環(huán)狀板中的至少一者在縱向上移動，以變更第一環(huán)狀板與第二環(huán)狀板之間的距離。根據(jù)本發(fā)明，能夠在短時間內(nèi)控制處理腔室的內(nèi)部壓力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及等離子體處理裝置和等離子體處理方法。

背景技術(shù)

在專利文獻1中公開了一種基片處理裝置，其包括：用于對基片實施等離子體處理的處理室；與處理室連通的排氣室；具有多個第一通氣孔的用于將處理室與排氣室隔開的排氣板；和配置在排氣室內(nèi)的排氣調(diào)節(jié)板。根據(jù)專利文獻1所記載的基片處理裝置，上述排氣調(diào)節(jié)板具有多個第二通氣孔，并且構(gòu)成為能夠與上述排氣板相互平行地接觸且能夠從上述排氣板分離。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-15451號公報。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

本發(fā)明的技術(shù)提供一種能夠在短時間內(nèi)控制處理腔室的內(nèi)部壓力的等離子體處理裝置。

用于解決問題的技術(shù)手段

本發(fā)明的一個方式包括：等離子體處理腔室；配置在所述等離子體處理腔室內(nèi)的基片支承部；環(huán)狀擋板，其以包圍所述基片支承部的方式配置，且具有多個開口；第一環(huán)狀板，其配置在所述環(huán)狀擋板的下方；第二環(huán)狀板，其配置在所述第一環(huán)狀板的下方，具有環(huán)狀重疊部分，所述環(huán)狀重疊部分與所述第一環(huán)狀板的一部分在縱向上重疊；壓力檢測器，其構(gòu)成為能夠檢測所述等離子體處理腔室內(nèi)的壓力；和至少1個致動器，其構(gòu)成為能夠基于檢測出的所述壓力來使所述第一環(huán)狀板和所述第二環(huán)狀板中的至少一者在縱向上移動，以變更所述第一環(huán)狀板與所述第二環(huán)狀板之間的距離。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，可提供一種能夠在短時間內(nèi)控制處理腔室的內(nèi)部壓力的等離子體處理裝置。

附圖說明

圖1是示意性地表示等離子體處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的概略圖。

圖2是示意性地表示等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的一例的縱剖視圖。

圖3是將排氣系統(tǒng)的主要部分的結(jié)構(gòu)例放大表示的主要部分放大圖。

圖4是表示排氣系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)例的概略的立體剖視圖。

圖5是表示排氣系統(tǒng)的配置例的俯視圖。

圖6是將排氣系統(tǒng)的其他結(jié)構(gòu)例放大表示的主要部分放大圖。

圖7是表示排氣系統(tǒng)中的分離大小與等離子體處理腔室的內(nèi)部壓力的關(guān)系的一例的說明圖。

圖8是表示排氣系統(tǒng)的變形例的主要部分放大圖。

圖9是表示排氣系統(tǒng)的變形例的主要部分放大圖。

圖10是表示本發(fā)明的技術(shù)的實施例的結(jié)果的說明圖。

圖11是表示本發(fā)明的技術(shù)的實施例的結(jié)果的說明圖。

附圖標(biāo)記說明

1 等離子體處理裝置

10 等離子體處理腔室

10e 排氣通路

10s 等離子體處理空間