[發(fā)明專利]HBT器件及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210216077.7
• 申請(qǐng)日: 2022-03-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114582745A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳東坡;黃治浩;魏鴻基;郭佳衢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 崔熠

1.一種HBT器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底包括有源區(qū)和位于有源區(qū)之外的無(wú)源區(qū)；

在所述有源區(qū)形成HBT器件的主動(dòng)器件，并在所述無(wú)源區(qū)形成焊盤，以得到第一器件；

在所述第一器件上形成鈍化層，并刻蝕位于所述無(wú)源區(qū)的所述鈍化層，以形成露出所述焊盤的第一窗口；

在所述鈍化層上形成種子層，所述種子層通過(guò)所述第一窗口與所述焊盤接觸連接；

在所述種子層上涂覆光刻膠層，并刻蝕位于所述無(wú)源區(qū)內(nèi)的所述光刻膠層，以形成露出所述種子層的第二窗口；

通過(guò)電鍍工藝在所述第二窗口內(nèi)形成電鍍金屬層，并在所述電鍍金屬層上蒸鍍頂層金屬層；

去除所述光刻膠層；

去除露出的所述種子層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HBT器件的制備方法，其特征在于，在所述鈍化層上形成種子層，包括：

在所述鈍化層上形成TiW層；

在所述TiW層上形成Au層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的HBT器件的制備方法，其特征在于，所述TiW層的厚度為600埃；和/或，所述Au層的厚度為1200埃。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的HBT器件的制備方法，其特征在于，所述去除露出的所述種子層，包括：

采用碘化鉀溶液對(duì)所述Au層進(jìn)行濕法刻蝕去除；

采用氨水溶液對(duì)所述TiW層進(jìn)行濕法刻蝕去除。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HBT器件的制備方法，其特征在于，所述頂層金屬層的材質(zhì)為Ti。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HBT器件的制備方法，其特征在于，所述電鍍金屬層和所述焊盤的材質(zhì)均為Au。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HBT器件的制備方法，其特征在于，所述鈍化層的材質(zhì)為SiN。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HBT器件的制備方法，其特征在于，所述頂層金屬層、所述電鍍金屬層和所述焊盤分別在所述襯底上的投影兩兩交疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HBT器件的制備方法，其特征在于，所述電鍍金屬層的厚度在3μm至5μm之間。

10.一種HBT器件，其特征在于，由權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的HBT器件的制備方法制備得到。