[發明專利]一種高光效結構的LED芯片及其制備方法在審
| 申請號： | 202210210774.1 | 申請日： | 2022-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN114709298A | 公開（公告）日： | 2022-07-05 |
| 發明（設計）人： | 張星星;張亞;羅鋼鐵;簡弘安;胡加輝;金從龍 | 申請（專利權）人： | 江西兆馳半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知識產權代理事務所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 劉紅偉 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高光效 結構 led 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種高光效結構LED芯片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一外延層，所述外延層由下至上依次包括N型半導體、多量子阱發光區和P型半導體，在所述外延層上沉積絕緣層并制作電子阻擋層圖形；
在所述外延層及所述電子阻擋層上沉積透明導電層；
在所述透明導電層上制作MESA掩膜圖形，以所述MESA掩膜圖形對所述透明導電層進行濕法刻蝕，得到透明導電層圖形，再以所述MESA掩膜圖形對所述外延層進行干法刻蝕，直至刻蝕露出所述N型半導體，得到第二通孔；
依次在所述透明導電層及所述第二通孔上制作第一絕緣層、高反射電極層、第二絕緣層和P/N電極，所述P/N電極包括P電極和N電極，得到高光效結構LED芯片。
2.根據權利要求1所述的高光效結構LED芯片的制備方法，其特征在于，所述依次在所述透明導電層及所述第二通孔上制作第一絕緣層、高反射電極層、第二絕緣層和P/N電極的步驟包括：
在所述透明導電層上沉積絕緣層并制作第一絕緣層；
在所述第一絕緣層上沉積高反射金屬層得到高反射電極層；
在所述高反射電極層上沉積絕緣層并制作第二絕緣層圖形；
在所述第二絕緣層上制作P電極和N電極。
3.根據權利要求1所述的高光效結構LED芯片的制備方法，其特征在于，所述第一絕緣層及所述第二絕緣層包括至少一種絕緣材料，所述絕緣材料包括SiO2、Al2O3、TiO2。
4.根據權利要求1所述的高光效結構LED芯片的制備方法，其特征在于，所述P/N電極為疊層材料或單層材料，所述疊層材料以及所述單層材料均包括Cr、Au、Pt、Ni、Ti或Cr、Au、Pt、Ni、Ti的合金。
5.根據權利要求1所述的高光效結構LED芯片的制備方法，其特征在于，所述高反射電極層包括高反射金屬材料，所述高反射金屬材料包括Al、Ag、Mg。
6.一種高光效結構LED芯片，包括襯底和外延層，所述外延層由下而上依次包括N型半導體層、多量子阱發光區和P型半導體層，其特征在于，
所述P型半導體層上方依次包括透明導電層、第一絕緣層、高反射電極層、第二絕緣層和P/N電極，所述第二絕緣層覆蓋所述高反射電極層；
所述P型半導體上設有第一通孔，所述第一通孔貫穿所述第二絕緣層；
所述N型半導體上設有第二通孔，所述第二通孔分別貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層、所述P型半導體、所述多量子阱發光區，且露出所述N型半導體；
所述P電極和N電極分別通過所述第一通孔和所述第二通孔與所述P型半導體層和所述N型半導體層進行電性連接。
7.根據權利要求6所述的高光效結構LED芯片，其特征在于，所述P型半導體層上還包括電子阻擋層，所述透明導電層覆蓋所述電子阻擋層。
8.根據權利要求6所述的高光效結構LED芯片，其特征在于，所述第一絕緣層及所述第二絕緣層包括至少一種絕緣材料，所述絕緣材料包括SiO2、Al2O3、TiO2。
9.根據權利要求6所述的高光效結構LED芯片，其特征在于，所述P/N電極為疊層材料或單層材料，所述疊層材料以及所述單層材料均包括Cr、Au、Pt、Ni、Ti或Cr、Au、Pt、Ni、Ti的合金。
10.根據權利要求6所述的高光效結構LED芯片，其特征在于，所述高反射電極層包括高反射金屬材料，所述高反射金屬材料包括Al、Ag、Mg。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江西兆馳半導體有限公司，未經江西兆馳半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210210774.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
