[發明專利]基于晶片的光源參數控制

在審

• 申請號: 202210210593.9
• 申請日: 2017-10-04
• 公開（公告）號: CN114755893A
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發明（設計）人: E·A·梅森;O·祖里塔;G·A·瑞克斯泰納;W·E·康利
• 申請（專利權）人: 西默有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 張昊

1.一種裝置，包括：

光譜特征選擇系統，其與脈沖光束光學地交互；

測量系統，被配置為測量所述脈沖光束的一個或多個光譜特征；

量測裝置，被配置為確定襯底的每個子區域的至少一個光刻性能參數，其中子區域是所述襯底的整個區域的一部分，并且其中所述光刻性能參數是與所述襯底相關聯的、或者與和所述襯底交互的所述脈沖光束相關聯的特性；以及

控制系統，連接到所述光譜特征選擇系統、所述測量系統、和所述量測裝置，并被配置為對于每個襯底子區域：

從所述量測裝置接收經確定的光刻性能參數，并從所述測量系統接收所述脈沖光束的經測量的所述一個或多個光譜特征；

分析所述襯底的每個子區域的經確定的所述光刻性能參數，并分析所述脈沖光束的經測量的所述一個或多個光譜特征；以及

基于這些分析：

向所述光譜特征選擇系統發送第一信號，以修改所述脈沖光束的第一光譜特征，其中所述第一光譜特征的修改考慮到經測量的所述一個或多個光譜特征的分析，并且其中所述第一信號是基于所述光刻性能參數位于可接受范圍之外的確定而被發送的；以及

通過在所述脈沖光束的所述第一光譜特征被修改時將第二信號發送到所述光譜特征選擇系統，將所述脈沖光束的第二光譜特征保持在所述第二光譜特征的值的范圍內。

2.根據權利要求1所述的裝置，所述控制系統被配置為通過確定經測量的所述一個或多個光譜特征中的任一個是否處于值的可接受范圍之外，將所述第一信號發送到所述光譜特征選擇系統，以修改所述第一光譜特征，其中所述第一信號考慮到對經測量的所述一個或多個光譜特征的分析。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中所述脈沖光束的所述第一光譜特征是所述脈沖光束的波長，并且所述脈沖光束的所述第二光譜特征是所述脈沖光束的帶寬。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中所述測量系統被配置為接收被導向所述襯底的所述脈沖光束的一部分。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中所述光刻性能參數包括以下各項中的一項或多項：所述襯底的位置距期望位置的平均偏移、所述襯底的平臺振動、從所述襯底的中央子區域到所述襯底的邊緣處的子區域變化的所述襯底的位置、所述襯底的物理性質的誤差、形成在所述襯底上的特征的對比度、在暴露于所述脈沖光束的襯底區域處的臨界尺寸、形成在所述襯底上的特征相對于目標或相對于下面的特征的放置、光刻膠分布、側壁角度、以及所述襯底的位置的變化。

6.一種方法，包括：

測量脈沖光束的一個或多個光譜特征，所述脈沖光束被導向光刻曝光設備的襯底；

當所述脈沖光束與所述襯底的每個子區域交互時，接收與該子區域相關聯的至少一個光刻性能參數，其中子區域是所述襯底的整個區域的一部分，并且其中所述光刻性能參數是與所述襯底相關聯的、或者與和所述襯底交互的所述脈沖光束相關聯的特性；

接收所述脈沖光束的經測量的所述一個或多個光譜特征；

在所述襯底的每個子區域處分析經確定的所述光刻性能參數；

分析所述脈沖光束的經測量的所述一個或多個光譜特征；以及

基于這些分析：

修改所述脈沖光束的第一光譜特征，其中所述第一光譜特征的修改考慮到經測量的所述一個或多個光譜特征的分析，并且其中所述第一光譜特征的修改是基于所述光刻性能參數位于可接受范圍之外的確定；以及

在所述脈沖光束的所述第一光譜特征被修改時，將所述脈沖光束的第二光譜特征保持在所述第二光譜特征的值的范圍內。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一光譜特征的修改考慮到經測量的所述一個或多個光譜特征的分析包括確定經測量的所述一個或多個光譜特征中的任一個是否處于值的可接受范圍之外。

8.根據權利要求6所述的方法，其中修改所述脈沖光束的所述第一光譜特征包括修改所述脈沖光束的波長，以及保持所述脈沖光束的所述第二光譜特征包括保持所述脈沖光束的帶寬在帶寬的值的范圍內。