[發明專利]高能壘鏑單離子磁體及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 202210208783.7
• 申請日: 2022-03-04
• 公開（公告）號: CN114560881A
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 陳磊;程志杰;楊亦謀;景蓉;趙穎娟;蔡星偉;鄭紹軍
• 申請（專利權）人: 江蘇科技大學;鎮江睿氟智能科技有限公司
• 主分類號: C07F5/02
• 分類號: C07F5/02;C07F5/00;H01F1/42;H01F41/02
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 余俊杰

1.高能壘鏑單離子磁體，其特征在于，所述單離子磁體的結構簡式為：[Dy(BPA-TPA)(CH₃O)](BPh₄)₂·CH₂Cl₂，其中BPA-TPA為2,6-雙(雙(2-吡啶基甲基)氨基)甲基吡啶。

2.根據權利要求1所述的高能壘鏑單離子磁體，其特征在于，所述單離子磁體的化學結構式為：

3.根據權利要求1所述的高能壘鏑單離子磁體，其特征在于，所述鏑單離子磁體的結構單位為：晶體屬于三斜晶系，P-1空間群，晶胞參數為α＝101.261(2)°，β＝93.525(2)°，γ＝116.025(2)°。

4.根據權利要求1所述的高能壘鏑單離子磁體，其特征在于，所述Dy(III)與一個BPA-TPA配體的七個氮原子和一個甲氧基的進行配位，形成八配位三角十二面體構型。

5.根據權利要求1所述的高能壘鏑單離子磁體，其特征在于，所述鏑單離子磁體為無色塊狀晶體，在零場下表現出典型的慢弛豫行為，具有單分子磁體特征，能壘高于1600K，阻塞溫度達8K。

6.權利要求1-5任一所述高能壘鏑單離子磁體的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：將2,6-雙(雙(2-吡啶基甲基)氨基)甲基吡啶和DyCl₃·6H₂O溶于甲醇中，加熱回流至呈黃色澄清溶液，再加入三甲基硅氧鈉，繼續回流至出現極少量黃色沉淀，冷卻至室溫，過濾除去少量不溶物，向其加入四苯硼鈉，攪拌產生大量淡黃色沉淀，把沉淀過濾出來，用二氯甲烷溶解，轉移到試管中，將正己烷緩慢加入其中，靜置，進行兩相擴散即得到該鏑單離子磁體。

7.根據權利要求6所述的高能壘鏑單離子磁體的制備方法，其特征在于，所述DyCl₃·6H₂O與BPA-TPA的摩爾比為1:1～1.5，每1mmol的DyCl₃·6H₂O對應于15～20mL甲醇，每1mmol的DyCl₃·6H₂O對應于1～2mmol的三甲基硅氧鈉，每1mmol的DyCl₃·6H₂O對應于3～5mmol的四苯硼鈉，每1mmol的DyCl₃·6H₂O對應于5～10mL的二氯甲烷。

8.根據權利要求6所述的高能壘鏑單離子磁體的制備方法，其特征在于，所述正己烷的體積為二氯甲烷的3～4倍。

9.根據權利要求6所述的高能壘鏑單離子磁體的制備方法，其特征在于，所述靜置時間為2～4天，得到無色塊狀晶體。

10.權利要求1-5任一所述高能壘鏑單離子磁體在制備分子基磁性材料中的應用。