[發明專利]圖像感知芯片

在審

• 申請號: 202210206304.8
• 申請日: 2022-03-01
• 公開（公告）號: CN114676816A
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 程傳同;張恒杰;于璇;陳弘達
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: G06N3/04
• 分類號: G06N3/04;G06N3/08;H01L27/144
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳夢圓

1.一種圖像感知芯片，其特征在于，包括：

襯底；

光電探測器陣列，包括形成在所述襯底上的多個光電探測器；

其中，通過調節多個所述光電探測器的光響應度，使多個所述光電探測器識別待識別圖像時疊加輸出相應的光電流。

2.根據權利要求1所述的圖像感知芯片，其特征在于，多個所述光電探測器的光響應度為根據圖像識別結果確定的，所述圖像識別結果為利用訓練完成的人工神經網絡模型處理所述待識別圖像的待識別圖像數據得到的。

3.根據權利要求1所述的圖像感知芯片，其特征在于，多個所述光電探測器的光響應度通過施加電刺激或光刺激來調節；

其中，對所述光電探測器施加電刺激或光刺激，以使所述光電探測器的光響應度由初始值調節至目標值，且在光刺激或電刺激結束后，所述光電探測器的光響應度保持所述目標值不變。

4.根據權利要求3所述的圖像感知芯片，其特征在于，對所述光電探測器施加反向的光刺激或反向的電刺激，以使所述光電探測器的光響應度由所述目標值調節至所述初始值。

5.根據權利要求4所述的圖像感知芯片，其特征在于，所述反向的光刺激包括與所述光刺激波長不同的光刺激；

所述反向的電刺激包括與所述電刺激極性相反的電刺激。

6.根據權利要求1所述的圖像感知芯片，其特征在于，所述光電探測器陣列包括：

多個底電極，形成在所述襯底上并沿第一方向延伸；

多個頂電極，形成在多個所述底電極上并沿與第一方向不同的第二方向延伸；以及

多個第一光敏材料層，分別形成在所述底電極與所述頂電極交叉的部位并位于所述底電極與所述頂電極之間；

優選地，所述第一方向與所述第二方向垂直。

7.根據權利要求6所述的圖像感知芯片，其特征在于，相鄰的兩個所述底電極之間的距離為1～20μm。

8.根據權利要求6所述的圖像感知芯片，其特征在于，所述頂電極為透明電極；

所述頂電極的厚度為20～100nm。

9.根據權利要求1所述的圖像感知芯片，其特征在于，所述光電探測器陣列包括：

多個第一電極，形成在所述襯底上；

多個絕緣薄膜，分別形成在多個所述第一電極上；

多個第二電極，分別形成在多個所述絕緣薄膜上，所述第二電極的延伸方向與所述第一電極的延伸方向垂直；

多個第二光敏材料層，形成在所述襯底上，且所述第二光敏材料層與所述第一電極、所述絕緣薄膜、所述第二電極電隔離；

多個第三電極，其一端位于所述第二電極上，另一端位于所述第二光敏材料層上；

多個第四電極，其一端位于所述第一電極上，另一端位于所述第二光敏材料層上。

10.根據權利要求6或9所述的圖像感知芯片，其特征在于，所述第一光敏材料層包括半導體材料、鈣鈦礦材料或二維材料；

所述第二光敏材料層包括半導體材料、鈣鈦礦材料或二維材料；

優選地，所述第一光敏材料層的厚度為1～1000nm；

所述第二光敏材料層的厚度為1～1000nm。